[實用新型]太陽能電池有效
| 申請號: | 201720199715.3 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN206490071U | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | 童智圣;蔡惟鼎;吳至昇;蔡錦堂;林綱正;黃桂武 | 申請(專利權)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,吳啟超 |
| 地址: | 中國臺灣苗栗縣竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型是有關于一種太陽能電池,特別是有關于一種太陽能電池的背面電極。
背景技術
近年來,太陽能電池蓬勃發展,應用日趨廣泛,且效率也日益提升。太陽能電池不僅是一種環保能源,其可直接將太陽能轉換為電能,且由于在發電過程中不產生二氧化碳等溫室氣體,因此不會對環境造成污染。
當光照射在太陽能電池上時,利用其光電半導體的特性,使光子與導體或半導體中的自由電子作用而產生電流。目前現有的太陽能電池依據主體材料的不同可分為硅基半導體太陽能電池、染料敏化太陽能電池及有機材料太陽能電池。其中又以硅基半導體太陽能電池的技術較為純熟且亦較為普及。
目前已發表的具高轉換效率的硅晶太陽能電池多達十幾種,其中具商業規模量產可能性的大致有異質接面結合本質硅薄膜太陽能電池(Hetero-junction with Intrinsic Thin Layer;HIT)、指叉式背電極太陽能電池(Interdigitated Back Contact;IBC)、雙面發電太陽能電池(Bifacial)以及射極鈍化及背電極太陽能電池(Passivated Emitter Rear Locally Diffused Cell;PERC)。
在制造太陽能電池的時候,常常需要透過激光剝蝕的方式來蝕穿位于背面的鈍化層,使位于鈍化層下方的半導體層裸露出來,然后利用網印的方式將預先調配好的鋁漿填入露出的開孔中,接著經過鋁漿燒結制程,就可以在太陽能電池的背面形成多個背面電極。
不同的背面電極設計,也牽動了整體太陽能電池的效率。因此,如何能有效地改善太陽能電池的背面電極,以提升太陽能電池的效率,仍是太陽能電池的研發人員與制造者所努力追尋的方向。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型的目的在于提供一種太陽能電池的背面電極,以提升太陽能電池的整體效率。
本實用新型提供一種太陽能電池,包含有一半導體基材、一鈍化層堆疊、多個開口以及多個背面電極。其中,半導體基材具有一正表面與一背表面,鈍化層堆疊形成于半導體基材的背表面,多個開口貫穿并形成于鈍化層堆疊之中,而多個背面電極形成于開口中。
在一實施例中,背面電極相互平行配置,且背面電極的長度大于相鄰的背面電極的距離。
在一實施例中,太陽能電池還包含有多個匯流電極相互平行排列,且匯流電極與背面電極形成一預定的夾角,例如是0度到90度。
在一實施例中,背面電極的長度約為400微米到6000微米。
在一實施例中,背面電極的長度約為4000微米。
在一實施例中,相鄰的背面電極的距離約為100微米至1500微米。
在一實施例中,相鄰的背面電極的距離約為1000微米。
在一實施例中,相鄰兩行的背面電極的距離約為90微米至1350微米。
在一實施例中,相鄰兩行的背面電極的距離約為900微米。
在一實施例中,每一背面電極是由三個以上激光開口連續設置,并經鋁膠燒結所形成,每一激光開口的直徑約為35微米至55微米,兩個相鄰的激光開口的距離約為55微米至75微米,而激光開口的深度約為1.5微米至3.5微米。
在一實施例中,背面電極與匯流電極的距離約為100微米至3000微米。
在一實施例中,背面電極與匯流電極的距離約為1600微米。
在一實施例中,太陽能電池還包含有一邊框圍繞于太陽能電池的周圍。
綜上所述,本實用新型所揭露的太陽能電池的效率可有效提升,進而降低太陽能發電的成本,有效降低綠能發電的成本。
附圖說明
為讓本揭露的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂,所附附圖的說明如下:
圖1是依照本實用新型所揭露一實施例繪示的一種太陽能電池的示意圖;
圖2是依照本實用新型所揭露另一實施例繪示的一種太陽能電池的示意圖;
圖3是依照本實用新型所揭露又一實施例繪示的一種太陽能電池的示意圖;
圖4是本實用新型所揭露的太陽能電池的背面電極的尺寸示意圖;
圖5A與圖5B是本實用新型所揭露的太陽能電池的背面電極的激光開口的尺寸示意圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昱晶能源科技股份有限公司,未經昱晶能源科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720199715.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:喜糖盒(鏤空雕花抽屜式)
- 下一篇:一種甲醇燃料電池的散熱結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





