[實用新型]一種陣列基板、顯示面板以及電子設備

有效

• 申請號: 201720191055.4
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN206451710U
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 劉嬋;張磊
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種顯示面板的陣列基板，其特征在于，包括：

透明基板；

設置在所述透明基板上的多個陣列排布的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極、源極、漏極以及有源區；

其中，同一行所述像素單元中，相鄰所述薄膜晶體管的有源區之間具有第一絕緣氧化結構，所述第一絕緣氧化結構由與所述有源區同層的半導體層氧化制成。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層包括多條平行且間隔設置的條狀區域，所述條狀區域沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述透明基板；

其中，每一個所述條狀區域用于形成一行所述像素單元的薄膜晶體管的有源區。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，同一所述薄膜晶體管中，所述有源區包括：第一部分以及第二部分；所述第一部分通過過孔與所述源極連接；所述第二部分通過過孔與所述漏極連接。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述透明基板設置有多條平行且間隔分布的柵極線；和多條平行且間隔分布的數據線；所述柵極線沿所述第一方向延伸，所述數據線沿第二方向延伸，所述柵極線和所述數據線絕緣交叉形成多個與所述像素單元一一對應的像素區域，每個像素區域設置有一個所述像素單元；所述第一方向與所述第二方向垂直，且均平行于所述透明基板；

所述有源區還包括第三部分，同一所述薄膜晶體管中，所述第一部分與所述第二部分在所述第一方向上相對設置，所述第三部分連接所述第一部分以及所述第二部分，所述第一部分與所述第二部分之間具有第二絕緣氧化結構，所述第二絕緣氧化結構由與所述有源區同層的半導體層氧化制成。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層遠離所述透明基板一側具有第一絕緣層，所述第一絕緣層具有多個第一開口和多個第二開口；

其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一開口與所述第一絕緣氧化結構一一相對設置，所述第二開口與所述第二絕緣氧化結構一一相對設置；所述第一開口在所述條狀區域表面的垂直投影為第一投影、第二開口在所述條狀區域表面的垂直投影為第二投影；在所述第二方向上，所述第一投影完全覆蓋所相對的第一絕緣氧化結構，所述第二投影完全覆蓋所相對的第二氧化絕緣結構。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層與所述第一絕緣層之間具有第二絕緣層，所述第一絕緣層為氮化硅層，所述第二絕緣層為二氧化硅層。

7.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層遠離所述透明基板一側設置有第一絕緣層；所述第一絕緣層具有多個開口；

其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述開口與所述第一絕緣氧化結構一一相對設置。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層為氮化硅層。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層和所述第一絕緣層之間設置有第二絕緣層，所述第二絕緣層為二氧化硅層。

10.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在垂直于所述透明基板的方向上，所述有源區位于所述透明基板與所述柵極之間；所述有源區與所述透明基板之間還具有遮光層。

11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層具有鏤空區域，在垂直于所述透明基板的方向上，所述鏤空區域與所述第一絕緣氧化結構相對設置。

12.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在垂直于所述透明基板的方向上，所述柵極位于所述有源區與所述透明基板之間；所述柵極與所述有源區至少部分相對設置。

13.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣氧化結構為二氧化硅。

14.一種顯示面板，其特征在于，包括：

相對設置的陣列基板以及彩膜基板；

位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間的液晶層；

其中，所述陣列基板為如權利要求1-13任一項所述的陣列基板。

15.一種電子設備，其特征在于，包括：如權利要求14所述的顯示面板。