[實用新型]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720185358.5 | 申請日: | 2017-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN206573817U | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 文亮;陳國照 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1335 | 分類號: | G02F1/1335 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11204 | 代理人: | 王達佐,馬曉亞 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
在液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)中,通常需要在襯底基板上設(shè)置遮光層,以避免TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)器件的性能受到背光的影響。具體可以參見圖1所示,其示出了現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,襯底基板11上設(shè)置有遮光層12。遮光層12上設(shè)置有緩沖層13。緩沖層13上設(shè)置有薄膜晶體管(包括:半導(dǎo)體層14、源極16、漏極17和柵極18)。其中,半導(dǎo)體層14設(shè)置于緩沖層13上;源極16和漏極17設(shè)置于半導(dǎo)體層14上;柵極18位于覆蓋半導(dǎo)體層14的絕緣層15上)。由于在工藝制作后成型的遮光層12近似為梯形,所以當(dāng)遮光層12厚度較大時,會導(dǎo)致位于遮光層12上方的半導(dǎo)體層的厚度不均勻,尤其是凸起處的兩邊厚度較薄。這樣可能會使得TFT器件的驅(qū)動電流降低,以致像素充電不足,影響顯示面板的顯示效果。
實用新型內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷,本申請實施例提供一種改善的顯示面板和顯示裝置,來解決以上背景技術(shù)部分提到的技術(shù)問題。
為了實現(xiàn)上述目的,第一方面,本申請實施例提供了一種顯示面板,該顯示面板包括陣列基板,該陣列基板包括:襯底基板;位于襯底基板上的遮光層,遮光層包括多個遮光區(qū)域;覆蓋遮光層的緩沖層;位于緩沖層上的半導(dǎo)體層;其中,各遮光區(qū)域包括至少兩個遮光塊,且遠(yuǎn)離襯底基板的遮光塊向靠近襯底基板的遮光塊的正投影,位于靠近襯底基板的遮光塊的上表面覆蓋的區(qū)域內(nèi)。
在一些實施例中,至少兩個遮光塊具有相同材料,且各遮光塊的材料包括以下至少一種:鉬金屬、鈦金屬或氮化鉬金屬。
在一些實施例中,至少兩個遮光塊的材料不同;各遮光塊具有與襯底基板平行的上表面和下表面,且同一遮光塊的上表面向下表面的正投影位于下表面覆蓋的區(qū)域內(nèi)。
在一些實施例中,至少兩個遮光塊包括第一遮光塊和第二遮光塊,且第一遮光塊的下表面與襯底基板接觸。
在一些實施例中,第一遮光塊的材料為鈦金屬,第二遮光塊的材料為鉬金屬。
在一些實施例中,第一遮光塊的材料為氮化鉬金屬,第二遮光塊的材料為鉬金屬或氮化鉬金屬。
在一些實施例中,第一遮光塊和第二遮光塊的材料為氮化鉬金屬,且第二遮光塊的含氮量低于第一遮光塊的含氮量。
在一些實施例中,遮光區(qū)域還包括第三遮光塊,第三遮光塊位于第一遮光塊和第二遮光塊之間;第一遮光塊和第三遮光塊的材料均為氮化鉬金屬,第二遮光塊的材料為鉬金屬,其中,第三遮光塊的含氮量低于第一遮光塊的含氮量。
在一些實施例中,至少兩個遮光塊之間設(shè)置有介質(zhì)層,介質(zhì)層為氮化硅層或氧化硅層。
在一些實施例中,半導(dǎo)體層中設(shè)置有溝道,各溝道向遮光層的正投影分別位于其中一個遮光區(qū)域內(nèi)。
在一些實施例中,顯示面板包括薄膜晶體管;各溝道分別位于其中一個薄膜晶體管的源極和漏極之間,且各薄膜晶體管的柵極向遮光層的正投影分別位于對應(yīng)的一個遮光區(qū)域內(nèi)。
在一些實施例中,各薄膜晶體管的柵極位于襯底基板和半導(dǎo)體層之間,且各薄膜晶體管的柵極復(fù)用為其中一個遮光區(qū)域中的至少兩個遮光塊。
第二方面,本申請實施例提供了一種顯示裝置,包括上述顯示面板。
本申請實施例提供的顯示面板和顯示裝置,通過將遮光區(qū)域設(shè)置為至少兩個遮光塊,并且遠(yuǎn)離襯底基板的遮光塊的尺寸小于靠近襯底基板的遮光塊的尺寸,可以減緩遮光區(qū)域邊緣的陡峭程度,從而有利于改善位于遮光區(qū)域邊緣上方的半導(dǎo)體層的厚度較薄的問題。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述,本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
圖1是的現(xiàn)有技術(shù)中的顯示面板的局部結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本申請?zhí)峁┑娘@示面板的一個實施例的示意圖;
圖3是本申請?zhí)峁┑娘@示面板中的遮光層的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本申請?zhí)峁┑娘@示面板中的遮光層的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是本申請?zhí)峁┑娘@示面板中的遮光層的又一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6是本申請?zhí)峁┑娘@示面板的另一個實施例的示意圖;
圖7是本申請?zhí)峁┑娘@示裝置的一個實施例的示意圖。
具體實施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門天馬微電子有限公司,未經(jīng)廈門天馬微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720185358.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





