[實用新型]一種混合內嵌型電磁帶隙結構

有效

• 申請號: 201720178881.5
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN206461068U
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 孫志敏;胡秀杰;靳蒙蒙
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司11335
• 代理人: 吳甘棠

1.一種混合內嵌型電磁帶隙結構，其特征在于，包括：

電源平面、地平面以及位于所述電源平面和所述地平面之間的絕緣介質；

在所述電源平面的第一面設置有至少一個電磁帶隙結構，所述電源平面的第一面指所述電源平面未與所述絕緣介質相連的一面；所述電磁帶隙結構用于抑制同步開關噪聲；

所述電磁帶隙結構包括以M行×N列分布的M×N個基本單元，所述M×N個基本單元周期分布，所述基本單元為30mm×30mm的Z-bridge電磁帶隙結構，其中，M和N為大于或等于3的整數；所述M×N個基本單元中每相鄰的兩個基本單元之間采用L-型橋連接；Z-bridge電磁帶隙結構包括：呈正方形的第二邏輯單元，所述第二邏輯單元的四個邊中每相鄰兩個邊上均蝕刻有一個L型結構；

在所述M×N個基本單元中存在Q個Z-bridge電磁帶隙結構，在所述Q個Z-bridge電磁帶隙結構中的每個Z-bridge電磁帶隙結構的中心區域蝕刻有目標溝槽，一個所述Z-bridge電磁帶隙結構的目標溝槽與內嵌在所述Z-bridge電磁帶隙結構內的L-Bridge電磁帶隙結構一致，一個所述Z-bridge電磁帶隙結構的目標溝槽用于內嵌一個L-Bridge電磁帶隙結構，在Q個目標溝槽中的每個目標溝槽內均內嵌有一個L-Bridge電磁帶隙結構，其中，所述Q為大于或等于4且小于或等于M×N的整數；Q個L-Bridge電磁帶隙結構按照第一預設規則排列。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述絕緣介質的介電常數為4.4，所述絕緣介質的耗散因子為tanδ＝0.02的FR4材料，所述絕緣介質的厚度為0.4mm。

3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述第一預設規則為：在所述M×N個基本單元中每個基本單元內均內嵌有所述L-Bridge電磁帶隙結構；

或者，所述第一預設規則為：Q個Z-bridge電磁帶隙結構中每相鄰兩個Z-bridge電磁帶隙結構之間間隔一個未蝕刻有目標溝槽的Z-bridge電磁帶隙結構。

4.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述平面型電磁帶隙結構的尺寸為長90mm×寬90mm×高0.4mm。

5.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述電磁帶隙結構包括以3行×3列分布的9個基本單元。

6.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述L-Bridge電磁帶隙結構包括：呈正方形的第一邏輯單元，在所述第一邏輯單元的四個邊上分別設置有Z型橋，四個Z型橋中的每個Z型橋均包括第一垂直部、第一平行部端以及第二垂直部，其中，所述第一垂直部和所述第二垂直部均與所述第一平行部垂直，任意一個Z型橋的第一平行部和與所述Z型橋連接的邊平行，且所述任意一個Z型橋的第一平行部和與所述Z型橋連接的邊之間存在間隙，一個Z型橋的第一垂直部與第一邏輯單元的一個邊連接，一個Z型橋的第二垂直部為自由端。

7.根據權利要求6所述的結構，其特征在于，所述第一邏輯單元的邊長為12.8mm，所述間隙為0.2mm，所述Z型橋的長度為12.4mm，所述Z型橋第二垂直部的寬度為0.2mm，所述第一垂直部的寬為0.2mm，所述第二垂直部的寬為0.2mm，所述第一垂直部距離與其所連接的邊的首端之間的距離為0.4mm，所述首端為位于所述邊上，且遠離所述第二垂直部的一端。

8.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述L型結構包括第二平行部和第三垂直部，所述第三垂直部和所述第二平行部垂直，四個L型結構中任意一個L型結構的第二平行部位于所述四個邊中第一邊上，所述四個L型結構中任意一個L型結構的第三平行部位于第二邊上，所述第一邊為所述四個邊中任意一個，所述第二邊為與所述第一邊相鄰的邊，任意一個第二平行部和其所在的邊之間存在縫隙，任意一個L型結構的第三垂直部和與其相鄰的一個第二平行部之間存在空隙。

9.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述Q個L-Bridge電磁帶隙結構或者所述Q個Z-Bridge電磁帶隙結構中內嵌有5個端口，所述5個端口中的一個端口用作輸入端口，所述5個端口中的其余4個端口用作輸出端口。

10.根據權利要求9所述的結構，其特征在于，所述5個端口中每個端口的電阻為50Ω。