[實用新型]一種具有高能量空穴的發光二極管有效
| 申請號： | 201720175505.0 | 申請日： | 2017-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN206471347U | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發明（設計）人： | 宋長偉;程志青;徐志波;黃文賓;林兓兓;蔡吉明;張家宏 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 高能量 空穴 發光二極管 | ||
1.一種具有高能量空穴的發光二極管，包括襯底、位于所述襯底上的P型層、位于所述P型層上的多量子阱層，以及位于所述多量子阱層上的N型層，其特征在于：所述P型層為AlN層與AlGaN層的交替層疊結構。
2.根據權利要求1所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述P型層為AlN/AlGaN/AlN多層結構。
3.根據權利要求1或2所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述AlN層上還設置一P型雜質聚集層。
4.根據權利要求3所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述AlN層為采用PVD法制備的非故意摻雜結構層。
5.根據權利要求3所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述AlGaN層為采用MOCVD法制備的P型摻雜層。
6.根據權利要求5所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述AlN層、P型雜質聚集層和AlGaN層組成具有較高空穴能量的P型層。
7.根據權利要求1所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述AlN層與AlGaN層為周期性交替層疊，其周期數為2~10。
8.根據權利要求1所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述AlGaN層的厚度為100?~300 ?。
9.根據權利要求1所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述P型層與所述多量子阱層之間還包括一緩沖層。
10.根據權利要求1所述的一種具有高能量空穴的發光二極管，其特征在于：所述P型層的厚度為200?~500 ?。
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