[實用新型]一種復合襯底/三族氮化物微米柱結構有效
| 申請號： | 201720172528.6 | 申請日： | 2017-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN206532753U | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發明（設計）人： | 邱振宇;魯文超;趙恩;漆林;李宗堯;楊松;曹冰;王欽華 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103 | 代理人： | 陶海鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 襯底 氮化物 微米 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種復合襯底/三族氮化物微米柱結構，其特征在于：所述的復合襯底為在介質材料上生長石墨烯插入層；在石墨烯插入層上生長三族氮化物微米柱。
2.根據權利要求1所述的一種復合襯底/三族氮化物微米柱結構，其特征在于：所述微米柱的高度為10～300um，直徑為10～300um。
3.根據權利要求1或2所述的一種復合襯底/三族氮化物微米柱結構，其特征在于：在介質材料石英上生長石墨烯插入層，在石墨烯插入層上生長GaN微米柱。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
