[實(shí)用新型]一種LED固晶隔膜及LED封裝體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720169848.6
• 申請(qǐng)日: 2017-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN206471354U
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林志洪;鄭劍飛;鄭文財(cái);高春瑞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門多彩光電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司35218
• 代理人: 張偉星

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及LED封裝領(lǐng)域，具體涉及一種有效防止LED封裝后產(chǎn)生電子遷移的LED固晶隔膜及具有該LED固晶隔膜的LED封裝體。

背景技術(shù)

LED（Light Emitting Diode），發(fā)光二極管，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。LED燈的出現(xiàn)，相對(duì)于普通燈（白熾燈等）具有節(jié)能、壽命長(zhǎng)、適用性好、回應(yīng)時(shí)間短、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。

目前市場(chǎng)上，倒裝LED由于其大電流和高散熱等優(yōu)點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于LED汽車燈、CSP和倒裝集成，由于其長(zhǎng)期大電流使用，并且焊接材料主要是錫材料，在長(zhǎng)期使用過(guò)程中，極為容易出現(xiàn)電子遷移至封裝基板的電極焊盤內(nèi)，最終導(dǎo)致空洞率偏大，影響LED光源的導(dǎo)電及散熱，最終導(dǎo)致死燈。

所以必須選擇一種既容易操作又能夠降低空洞率的方法，使導(dǎo)熱錫膏避免發(fā)生電子遷移。

實(shí)用新型內(nèi)容

為此，本實(shí)用新型提供一種有效防止LED封裝后產(chǎn)生電子遷移的LED固晶隔膜及具有該LED固晶隔膜的LED封裝體。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供的一種LED固晶隔膜，包括：電子遷移阻隔層、第一金屬過(guò)渡層及金屬固晶層，所述第一金屬過(guò)渡層設(shè)置在電子遷移阻隔層表面，所述金屬固晶層設(shè)置在第一金屬過(guò)渡層表面，進(jìn)而形成一層疊結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，還包括：第二金屬過(guò)渡層及金屬接合層，所述第二金屬過(guò)渡層設(shè)置在電子遷移阻隔層的背面，所述金屬接合層設(shè)置在第二金屬過(guò)渡層的表面。

本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選方案，所述第二金屬過(guò)渡層為金屬鎳層或金屬鉻層。

本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選方案，所述金屬接合層為金錫合金層。

本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選方案，所述電子遷移阻隔層為金屬銅層。

本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選方案，所述第一金屬過(guò)渡層為金屬鎳層或金屬鉻層。

本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選方案，所述金屬固晶層為金錫合金層。

本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選方案，所述金屬固晶層上表面的外周還設(shè)有一絕緣圍壩。

本實(shí)用新型的另一種優(yōu)選方案，所述金屬固晶層的表面還設(shè)有一助焊層。

本實(shí)用新型還提供一種LED封裝體，包括：封裝基板、固晶錫膏及倒裝LED芯片，還包括如上述任一所述的LED固晶隔膜，所述LED固晶隔膜的金屬固晶層朝上設(shè)置在封裝基板的電極上，所述固晶錫膏涂覆在LED固晶隔膜的金屬固晶層表面，所述倒裝LED芯片的電極通過(guò)固晶錫膏固晶在金屬固晶層上。

通過(guò)本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，具有如下有益效果：

采用電子遷移阻隔層/第一金屬過(guò)渡層/金屬固晶層的層疊結(jié)構(gòu)的LED固晶隔膜，金屬固晶層用于與倒裝LED芯片的電極之間進(jìn)行固晶，電子遷移阻隔層（如金屬銅層）可有效阻隔金屬固晶層和用于輔助固晶的錫膏、助焊層等的電子遷移，增加了LED的使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1所示為實(shí)施例一中LED固晶隔膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示為實(shí)施例二中LED固晶隔膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3所示為實(shí)施例中LED封裝體的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為進(jìn)一步說(shuō)明各實(shí)施例，本實(shí)用新型提供有附圖。這些附圖為本實(shí)用新型揭露內(nèi)容的一部分，其主要用以說(shuō)明實(shí)施例，并可配合說(shuō)明書的相關(guān)描述來(lái)解釋實(shí)施例的運(yùn)作原理。配合參考這些內(nèi)容，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)能理解其他可能的實(shí)施方式以及本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。圖中的組件并未按比例繪制，而類似的組件符號(hào)通常用來(lái)表示類似的組件。

現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例一

參照?qǐng)D1所示，本實(shí)施例提供的一種LED固晶隔膜1，包括：電子遷移阻隔層10、第一金屬過(guò)渡層21及金屬固晶層30，所述電子遷移阻隔層10為金屬銅層10，其厚度設(shè)置在0.2-0.5mm。所述第一金屬過(guò)渡層21為金屬鎳層21，金屬鎳層21通過(guò)電子蒸鍍或?yàn)R鍍的方式設(shè)置在金屬銅層10的表面，其厚度設(shè)置在0.1-0.3mm之間。所述金屬固晶層30為金錫合金層30，金錫合金層30通過(guò)電子蒸鍍或?yàn)R鍍的方式設(shè)置在第一金屬過(guò)渡層21的表面，其厚度設(shè)置在0.1-0.5mm。進(jìn)而形成一層疊結(jié)構(gòu)的LED固晶隔膜1。所述金屬固晶層30上表面的外周還設(shè)有一絕緣圍壩40，該絕緣圍壩40的材質(zhì)為透明硅膠。

本實(shí)施例中，電子遷移阻隔層10為金屬銅層10，金屬銅穩(wěn)定性好具有較好的隔離錫電子遷移的作用。