[實用新型]集成電子器件

有效

• 申請號: 201720168557.5
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN206610813U
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: A·蒙羅伊阿奎里;G·伯特蘭德;P·卡瑟琳;R·保蘭
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電子器件，其特征在于，所述集成電子器件包括絕緣體上硅類型的襯底，所述襯底具有被安排在掩埋絕緣層上的半導體膜，所述器件具有被安排在所述半導體膜中和所述半導體膜上的至少一個晶體管，所述晶體管具有第一導電類型的漏極區域和源極區域；屬于第二導電類型并且位于柵極區域下方的膜區域；以及在所述源極區域、所述柵極區域和所述漏極區域上的多個接觸區，所述晶體管還具有延伸區域，所述延伸區域橫向地延續所述膜區域超出所述源極區域和所述漏極區域并且通過具有所述第一導電類型的鄰接區域與所述源極區域相接觸地鄰接，從而電耦合所述源極區域和所述膜區域。

2.根據權利要求1所述的集成電子器件，其特征在于，所述延伸區域包括與所述襯底區域屬于相同導電類型的連接部分以及導電區域，所述連接部分將所述襯底區域連接至所述鄰接區域，所述導電區域至少部分地覆蓋所述鄰接區域和所述連接部分。

3.根據權利要求2所述的集成電子器件，其特征在于，所述導電區域包括金屬硅化物并且具有小于5×10^-5歐姆-厘米的電阻率。

4.根據權利要求2和3之一所述的集成電子器件，其特征在于，所述連接部分具有第一部分和第二部分，所述第一部分橫向地延續所述襯底區域，所述第二部分垂直于所述第一部分延伸并且接觸所述鄰接區域。

5.根據權利要求4所述的集成電子器件，其特征在于，包括至少一對晶體管，所述至少一對晶體管中的每個晶體管的連接部分的第二部分從其對應的第一部分朝彼此延伸，從而形成公共第二連接部分，所述器件還包括對這兩個晶體管的公共鄰接區域，所述公共鄰接區域從所述公共第二連接部分延伸并且與這兩個晶體管的源極區域相接觸地鄰接，從而電耦合這兩個晶體管的源極區域以及其膜區域。

6.根據權利要求1至3之一所述的集成電子器件，其特征在于，包括多個晶體管，所述晶體管的柵極區域通過柵極材料線來互相電耦合，所述柵極材料線在每個晶體管的任一側上垂直于所述晶體管的柵極區域延伸。

7.根據權利要求1至3之一所述的集成電子器件，其特征在于，所述襯底屬于部分耗盡型絕緣體上硅類型。