[實用新型]多層結構納米發電機

有效

• 申請號: 201720167954.0
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN206595915U
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 王珊;張亞明;馮順;刁海豐;趙豪;錢志兵;徐傳毅
• 申請（專利權）人: 納智源科技（唐山）有限責任公司
• 主分類號: H02N1/04
• 分類號: H02N1/04
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙)11276
• 代理人: 宋菲,劉云貴

1.一種多層結構納米發電機，其特征在于，包括：復合膜，所述復合膜卷繞形成具有多個卷繞層的結構，其中至少一個相鄰的外卷繞層的內表面和內卷繞層的外表面之間形成摩擦界面。

2.根據權利要求1所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述復合膜包括依次層疊設置的第一高分子聚合物層、第一電極層和第二高分子聚合物層；其中，所述摩擦界面由所述第一高分子聚合物層與所述第二高分子聚合物層相對的表面構成。

3.根據權利要求2所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述第一高分子聚合物層以連續成膜方式設置；所述第一電極層以分塊成膜方式或連續成膜方式設置于所述第一高分子聚合物層表面；所述第二高分子聚合物層以連續成膜方式設置于所述第一電極層不與所述第一高分子聚合物層相鄰的另一表面。

4.根據權利要求2所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述復合膜還包括第一絕緣層和第二電極層；

其中，所述第一高分子聚合物層以連續成膜方式設置；所述第一電極層以分塊成膜方式或連續成膜方式設置于所述第一高分子聚合物層表面；所述第一絕緣層以分塊成膜方式或連續成膜方式設置于所述第一電極層不與所述第一高分子聚合物層相鄰的另一表面；所述第二電極層以分塊成膜方式或連續成膜方式設置于所述第一絕緣層不與所述第一電極層相鄰的另一表面；所述第二高分子聚合物層以連續成膜方式設置于所述第二電極層不與所述第一絕緣層相鄰的另一表面。

5.根據權利要求1所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述復合膜包括依次層疊設置的壓電薄膜層、第三電極層和第三高分子聚合物層；其中，所述摩擦界面由所述壓電薄膜層與所述第三高分子聚合物層的相對的表面構成。

6.根據權利要求5所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述第三高分子聚合物層以連續成膜方式設置；所述第三電極層以分塊成膜方式或連 續成膜方式設置于所述第三高分子聚合物層表面；所述壓電薄膜層以連續成膜方式設置于所述第三電極層不與所述第三高分子聚合物層相鄰的另一表面。

7.根據權利要求5所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述復合膜還包括第二絕緣層和第四電極層；

其中，所述第三高分子聚合物層以連續成膜方式設置；所述第三電極層以分塊成膜方式或連續成膜方式設置于所述第三高分子聚合物層表面；所述第二絕緣層以分塊成膜方式或連續成膜方式設置于所述第三電極層不與所述第三高分子聚合物層相鄰的另一表面；所述第四電極層以分塊成膜方式或連續成膜方式設置于所述第二絕緣層不與所述第三電極層相鄰的另一表面；所述壓電薄膜層以連續成膜方式設置于所述第四電極層不與所述第二絕緣層相鄰的另一表面。

8.根據權利要求2或5所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述復合膜還包括第四高分子聚合物層，其中，所述第四高分子聚合物層與所述復合膜的其他各層相互分離設置；其中，所述摩擦界面由所述第四高分子聚合物層與所述復合膜其他各層相對的表面構成。

9.根據權利要求1-7任一項所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述摩擦界面的至少一個表面設置凸起陣列結構。

10.根據權利要求9所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述凸起陣列結構為按照矩形或菱形排列的多個凸點構成；所述凸點為圓柱體、圓錐體、金字塔形體或多邊形體。

11.根據權利要求9所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述凸起陣列結構為多個帶狀結構按照幾何排列構成；所述幾何排列為井字、叉字、斑馬線型、十字或口字形狀陣列。

12.根據權利要求2-7任一項所述的多層結構納米發電機，其特征在于，所述多層結構納米發電機還包括：引線；其中，所述引線與電極層相連。