[實用新型]一種幅移鍵控和相移鍵控復用調制模塊

有效

• 申請號: 201720165196.9
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN206542438U
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 廣州芯世物信息科技有限公司
• 主分類號: H04L27/04
• 分類號: H04L27/04;H04L27/08;H04L27/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種幅移鍵控和相移鍵控復用調制模塊，其特征在于，包括：控制器(1)，與所述控制器(1)連接的CMOS傳輸門電路(2)和相位調節電路(3)，以及分別與所述CMOS傳輸門電路(2)和所述相位調節電路(3)連接的整形電路(4)；

所述控制器(1)用于控制供電模塊(5)為所述CMOS傳輸門電路(2)供電或為所述相位調節電路(3)供電；

所述CMOS傳輸門電路(2)用于在通電時，輸入射頻載波信號(Sin)，并在所述控制器(1)的控制下，對所述射頻載波信號(Sin)進行調制處理，以獲得并輸出幅移鍵控調制信號(Sask)；

所述相位調節電路(3)用于在通電時，輸入射頻載波信號(Sin)，并對所述射頻載波信號(Sin)進行調制處理，以獲得并輸出相移鍵控調制信號(Spsk)；

所述整形電路(4)用于在所述CMOS傳輸門電路(2)通電時，對所述幅移鍵控調制信號(Sask)進行整形處理，或者，在所述相位調節電路(3)通電時，對所述相移鍵控調制信號(Spsk)進行整形處理，以獲得并輸出最終調制信號(Sout)。

2.如權利要求1所述的調制模塊，其特征在于，所述CMOS傳輸門電路(2)包括：第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)；

其中，所述第一NMOS管(MN1)的柵極通過非門(NOT)與所述第一PMOS管(MP1)的柵極連接，并與所述控制器(1)連接；所述第一NMOS管(MN1)的漏極與所述第一PMOS管(MP1)的源極連接，用于輸入所述射頻載波信號(Sin)；所述第一NMOS管(MN1)的源極與所述第一PMOS管(MP1)的漏極連接，用于輸出所述幅移鍵控調制信號(Sask)。

3.如權利要求2所述的調制模塊，其特征在于，所述控制器(1)包括：供電控制單元(11)和調制控制單元(12)；

所述供電控制單元(11)與所述供電模塊(5)連接，用于控制供電模塊(5)為所述CMOS傳輸門電路(2)供電或為所述相位調節電路(3)供電；

所述調制控制單元(12)與所述第一NMOS管(MN1)的柵極連接，并通過所述非門(NOT)與所述第一PMOS管(MP1)的柵極連接，用于在所述CMOS傳輸門電路(2)通電時，向所述CMOS傳輸門電路(2)輸出調制控制信號(Ctrl)，以控制所述CMOS傳輸門電路(2)對所述射頻載波信號(Sin)進行調制處理，進而獲得并輸出幅移鍵控調制信號(Sask)。

4.如權利要求1所述的調制模塊，其特征在于，所述相位調節電路(3)包括：第二PMOS管(MP2)、第一電容(C1)和第二電容(C2)；

所述第二PMOS管(MP2)的柵極與所述第一電容(C1)連接，用于通過所述第一電容(C1)輸入所述射頻載波信號(Sin)；所述第二PMOS管(MP2)的漏極和源極連接、并通過所述第二電容(C2)接地；所述第二PMOS管(MP2)的柵極、源極和漏極還與所述整形電路(4)連接。

5.如權利要求1所述的調制模塊，其特征在于，所述整形電路(4)包括第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)；

所述第三PMOS管(MP3)的源極與電源電壓(VDD)連接；所述第三PMOS管(MP3)的漏極與所述第二NMOS管(MN2)的漏極連接，并與所述CMOS傳輸門電路(2)和所述相位調節電路(3)連接；所述第三PMOS管(MP3)的柵極與所述第二NMOS管(MN2)的柵極連接，并與所述相位調節電路(3)連接；所述第二NMOS管(MN2)的源極接地；

所述第四PMOS管(MP4)的源極與電源電壓(VDD)連接；所述第四PMOS管(MP4)的漏極與所述第三NMOS管(MN3)的漏極連接，并與所述第三PMOS管(MP3)的柵極連接；所述第四PMOS管(MP4)的柵極與所述第三NMOS管(MN3)的柵極連接，用于輸出所述最終調制信號(Sout)；所述第三NMOS管(MN3)的源極接地。