[實(shí)用新型]大電流半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720164445.2
• 申請(qǐng)日: 2017-02-23
• 公開（公告）號(hào): CN206672916U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張春堯;彭興義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇鹽芯微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

IC 器件的設(shè)計(jì)是以電路原理圖為根據(jù)，實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)者所需要的功能。其主要指版圖設(shè)計(jì)，需要考慮外部連接的布局，內(nèi)部電子元件的優(yōu)化布局，金屬連線和通孔的優(yōu)化布局，電磁保護(hù)，熱耗散等各種因素。優(yōu)秀的IC 器件設(shè)計(jì)可以節(jié)約生產(chǎn)成本，達(dá)到良好的電路性能和散熱性能。焊盤是IC 器件設(shè)計(jì)中最常接觸也是最重要的概念，選擇元件的焊盤類型要綜合考慮該元件的形狀、大小、布置形式、振動(dòng)和受熱情況、受力方向等因素。現(xiàn)有技術(shù)容易造成器件空焊、虛焊等問題。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型目的是提供一種大電流半導(dǎo)體器件，該大電流半導(dǎo)體器件在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中封裝需隔離的兩粒芯片，實(shí)現(xiàn)了雙芯片封裝功能，且有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種大電流半導(dǎo)體器件，包括第一芯片、第二芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳和環(huán)氧樹脂包覆體；

所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤均由載片區(qū)和連接于載片區(qū)一端頂部的桿狀延伸部組成，所述第一L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第二L形金屬焊盤的缺口處，所述第二L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第一L形金屬焊盤的缺口處；

所述第一芯片、第二芯片分別通過絕緣膠層固定于第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤各自的載片區(qū)上表面的中央?yún)^(qū)域，若干個(gè)所述左側(cè)引腳并排間隔地設(shè)置于第一芯片、第二芯片的左側(cè)，若干個(gè)所述右側(cè)引腳并排間隔地設(shè)置于第一芯片、第二芯片的右側(cè)，所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤下部邊緣處均開有第一缺口槽，所述左側(cè)引腳與第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第二缺口槽，所述右側(cè)引腳與第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第三缺口槽，所述環(huán)氧樹脂包覆體包覆于芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳上，所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體的底部；

若干根第一金線兩端分別與第一芯片、第二芯片和左側(cè)引腳電連接，若干根第二金線兩端分別與第一芯片、第二芯片和右側(cè)引腳電連接，所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤上表面均沿邊緣開有一閉合的環(huán)形儲(chǔ)膏槽，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽的截面形狀為倒梯形，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽位于第一芯片、第二芯片正下方并靠近芯片的邊緣區(qū)域；所述左側(cè)引腳、右側(cè)引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層，所述金屬鍍層與左側(cè)引腳或者右側(cè)引腳的厚度比為1：8~10。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：

上述方案中，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的數(shù)目均為3~10根。

上述方案中，所述金屬鍍層為錫層或者鎳鈀金層。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1. 本實(shí)用新型大電流半導(dǎo)體器件，其第一芯片、第二芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳和環(huán)氧樹脂包覆體，第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤均由載片區(qū)和連接于載片區(qū)一端頂部的桿狀延伸部組成，所述第一L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第二L形金屬焊盤的缺口處，所述第二L形金屬焊盤的載片區(qū)嵌入第一L形金屬焊盤的缺口處；因?yàn)樵O(shè)置了兩個(gè)載片區(qū)，在一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中封裝需隔離的兩粒芯片，實(shí)現(xiàn)了雙芯片封裝功能。

2. 本實(shí)用新型大電流半導(dǎo)體器件，其金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，所述左側(cè)引腳與金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第二缺口槽，所述右側(cè)引腳與金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有第三缺口槽，有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性；其次，其芯片通過絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央?yún)^(qū)域，金屬焊盤、左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體的底部，裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時(shí)快速傳導(dǎo)熱量，散熱效果好。

3. 本實(shí)用新型大電流半導(dǎo)體器件，其左側(cè)引腳、右側(cè)引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層，既降低了器件與PCB的導(dǎo)電接觸電阻，也有利于與PCB之間的焊接強(qiáng)度的提高。

附圖說明

附圖1為本實(shí)用新型大電流半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為附圖1的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖3為附圖1的A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖。