[實用新型]一種深紫外LED芯片

有效

• 申請號: 201720163155.6
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN206558530U
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 段瑞飛;杜澤杰;王文軍;王曉東;陳皓;羊建坤;冉軍學;王軍喜;曾一平
• 申請（專利權）人: 北京中科優唯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/12
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)11390
• 代理人: 胡劍輝

1.一種深紫外LED芯片，其特征在于，包括：

基底襯底，所述基底襯底包括藍寶石襯底、Si襯底或石英襯底；

濺射形核層，所述濺射形核層設置在所述基底襯底上，為一層通過磁控濺射系統形成于所述基底襯底上的多晶AlN薄膜；

AlN外延層，所述外延層形成于所述濺射形核層上，為一層通過MOCVD設備形成的單晶AlN薄膜；

超晶格應力緩沖層，所述超晶格應力緩沖層設置在所述AlN外延層上；

n-AlGaN外延層，其設置在所述超晶格應力緩沖層上；

多層量子阱，其設置在所述n-AlGaN外延層上；

電子阻擋層，其設置在所述多層量子阱上；

以及p-GaN外延層，其設置在所述電子阻擋層上。

2.根據權利要求1所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：

所述濺射形核層的厚度為20-30nm。

3.根據權利要求1所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：

所述濺射形核層的厚度為25nm。

4.根據權利要求1所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：

所述AlN外延層的厚度為800-1000nm。

5.根據權利要求4所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：

所述AlN外延層的厚度為900nm。

6.根據權利要求5所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：

所述AlN外延層為在1350攝氏度的溫度下通過MOCVD設備生產的單晶層。

7.一種AlN模板化深紫外LED襯底，其特征在于，包括：

基底襯底，所述基底襯底包括藍寶石襯底、Si襯底或石英襯底；

濺射形核層，所述濺射形核層設置在所述基底襯底上，為一層通過磁控濺射系統形成于所述基底襯底上的多晶AlN薄膜；

AlN外延層，所述外延層形成于所述濺射形核層上，為一層通過MOCVD設備形成的單晶AlN薄膜。