[實(shí)用新型]一種基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720153657.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN206628490U | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 繆峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 繆峰 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/032 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/032;H01L31/109 |
| 代理公司: | 江蘇銀創(chuàng)律師事務(wù)所32242 | 代理人: | 孫計(jì)良 |
| 地址: | 210046 江蘇省南京市仙*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 黑砷磷 用于 紅外 探測(cè) 器件 | ||
1.一種基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,用于檢測(cè)紅外線(xiàn),其特征在于,包括絕緣襯底、第一半導(dǎo)體、第二半導(dǎo)體;所述第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體安裝在所述絕緣襯底上;所述第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體相接觸而形成異質(zhì)結(jié);所述第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體分別連接有電極;所述第一半導(dǎo)體為黑砷磷二維層狀材料。
2.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述第一半導(dǎo)體為厚度不超過(guò)50nm的黑砷磷二維層狀材料。
3.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述第一半導(dǎo)體的黑砷磷二維層狀材料中的砷含量為10%~90%。
4.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述第一半導(dǎo)體的黑砷磷二維層狀材料中的砷含量為83%。
5.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述第二半導(dǎo)體為厚度不超過(guò)50nm的硫化鉬二維層狀材料。
6.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述第二半導(dǎo)體為黑砷磷二維層狀材料;所述第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體的黑砷磷具有不同的砷含量。
7.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述第二半導(dǎo)體為過(guò)渡金屬硫族化合物的二維層狀材料。
8.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述第二半導(dǎo)體為石墨烯或黑磷的二維層狀材料。
9.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,所述絕緣襯底為二氧化硅或三氧化二鋁或PMMA或PDMS。
10.如權(quán)利要求1所述的基于黑砷磷的用于紅外探測(cè)的器件,其特征在于,還包括用于絕緣隔離和空氣隔離的封裝結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





