[實用新型]多個孤立光耦封裝結構有效
| 申請號: | 201720147411.2 | 申請日: | 2017-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN206490080U | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | 葉建軍 | 申請(專利權)人: | 無錫天和電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12;H01L31/0203;H01L25/10 |
| 代理公司: | 無錫華源專利商標事務所(普通合伙)32228 | 代理人: | 聶啟新 |
| 地址: | 214024 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 孤立 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及微電子封裝技術領域,尤其是一種多個孤立光耦封裝結構。
背景技術
現有技術中,多個孤立的光耦的封裝結構,以四個孤立通道的光耦封裝結構為例,傳統的此類封裝需要四個比較小的獨立內瓷片,不容易加工,并在安裝過程中不易拿取。
實用新型內容
本申請人針對上述現有生產技術中的缺點,提供一種結構合理的多個孤立光耦封裝結構,從而只用一個內瓷片,在不改變原有封裝結構尺寸的同時,增大內瓷片的體積,方便加工和安裝。。
本實用新型所采用的技術方案如下:
一種多個孤立光耦封裝結構,包括管座,所述管座內安裝有多個孤立光耦,并通過一塊內瓷片進行同時封裝,在內瓷片的頂部再蓋上蓋板;所述管座兩側外部設置有多個引腳。
作為上述技術方案的進一步改進:
所述管座的結構為:包括成長方體結構的管座本體,所述管座本體的內凹部分均勻間隔設置有多個光耦座,每個光耦座中間開有光耦放置槽,相鄰兩個光耦座之間設置有間隔槽;所述內瓷片的下表面設置有間隔的凸起部分,所述凸起部分與間隔槽配合卡接。
本實用新型的有益效果如下:
本實用新型結構緊湊、合理,操作方便,通過在不改變多個孤立通道光耦封裝結構尺寸的同時,通過改變管座結構,由原來使用多個內瓷片改為只使用一個內瓷片,來實現多個孤立光耦封裝,更方便加工和安裝。
由于現在通用的多孤立光耦封裝內部使用的內瓷片都比較小,不容易加工,并在安裝過程中不易拿取,而本實用新型在多孤立光耦內部只要使用一個內瓷片,增加體積的同時,使使用者更加容易拿取,方便操作。
附圖說明
圖1為本實用新型的爆炸圖。
圖2為本實用新型內瓷片的結構示意圖。
圖3為本實用新型內瓷片另一視角的結構示意圖。
圖4為本實用新型管座的結構示意圖。
其中:1、蓋板;2、內瓷片;201、凸起部分;3、管座;301、管座本體;302、光耦座;303、光耦放置槽;304、間隔槽;4、引腳。
具體實施方式
下面結合附圖,說明本實用新型的具體實施方式。
如圖1、圖2、圖3和圖4所示,本實施例的多個孤立光耦封裝結構,包括管座3,管座3內安裝有多個孤立光耦,并通過一塊內瓷片2進行同時封裝,在內瓷片2的頂部再蓋上蓋板1;管座3兩側外部設置有多個引腳4。
管座3的結構為:包括成長方體結構的管座本體301,管座本體301的內凹部分均勻間隔設置有多個光耦座302,每個光耦座302中間開有光耦放置槽303,相鄰兩個光耦座302之間設置有間隔槽304;內瓷片2的下表面設置有間隔的凸起部分201,凸起部分201與間隔槽304配合卡接。
為了更清楚地說明本專利實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,還以四個孤立通道的光耦封裝結構為例。
現有技術中通用的和本實用新型所述的四個孤立光耦封裝外形尺寸相同,通用的每個孤立光耦封裝通過管座3內部把四個單獨的光耦分開,每個單獨的光耦就需要使用一個內瓷片,而本實用新型是通過改變管座3的內部結構,通過內瓷片2上的凸起部分201把每個單獨的光耦分開,只要使用一個孤立光耦封裝專用的內瓷片2來實現四孤立光耦封裝。安裝方便。
實際安裝過程中,首先將光耦分類裝入每個光耦座302中,然后裝上配合的內瓷片2,內瓷片2的凸起部分201卡入間隔槽304中,用來擋光,內瓷片2進行高溫燒結,最后蓋上蓋板1即可。
以上描述是對本實用新型的解釋,不是對實用新型的限定,本實用新型所限定的范圍參見權利要求,在本實用新型的保護范圍之內,可以作任何形式的修改。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫天和電子有限公司,未經無錫天和電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720147411.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:收納筐(6)
- 下一篇:一種多單元格的水平電池
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





