[實(shí)用新型]應(yīng)用于功率器件的集成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720142119.1
• 申請(qǐng)日: 2017-02-16
• 公開（公告）號(hào): CN206480618U
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張軍明;蘇志勇;朱朝軍;黃必亮;任遠(yuǎn)程;周遜偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L25/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于功率器件的集成電路。

背景技術(shù)

功率器件可以作為分立元件使用，但隨著電子元件的小型化和多功能化，功率器件常常被集成于片內(nèi)，其中，功率MOSFET是功率器件主要類型之一。例如，將功率MOS和控制模塊集成于片內(nèi)，功率MOS的各個(gè)極和控制模塊通過引線(例如，銅線)與引線框架實(shí)現(xiàn)電氣連接，且根據(jù)具體電路，功率MOS的至少柵極和控制模塊采用引線連接。

基于上述現(xiàn)有技術(shù)，由于功率器件通常會(huì)承載集成電路中的大電流，采用現(xiàn)有技術(shù)中的引線連接，因引線的阻抗較大所以發(fā)熱和耗能均較大，不利于芯片的散熱和節(jié)能。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種散熱性能好、有利于節(jié)能的應(yīng)用于功率器件的集成電路，用以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的發(fā)熱和耗能較大的技術(shù)問題，以改善芯片性能。

本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是，提供一種以下結(jié)構(gòu)的應(yīng)用于功率器件的集成電路，包括功率器件、控制模塊和引線框架，所述的引線框架包括基底和若干個(gè)引腳，所述的功率器件和控制模塊均位于引線框架的基底上，功率器件的第一極與基底電連接，功率器件的第二極通過金屬帶與至少一個(gè)引腳電連接，所述控制模塊與功率器件控制極和第二極電連接，控制模塊與至少一個(gè)引腳電連接。

可選地，所述功率器件的第一極與基底的電連接通過與基底連接的至少一個(gè)引腳引出。

可選地，所述功率器件的第二極通過第一金屬帶和第二金屬帶與多個(gè)引腳電連接，該多個(gè)引腳之間電連接。

可選地，所述功率器件的第一極位于功率器件的背面，并與基底上的導(dǎo)電層相貼合，功率器件的第二極和控制極位于其正面。

可選地，所述的控制模塊通過引線分別與基底、功率器件的第二極和控制極電連接。

可選地，將功率器件的第一極與基底的電連接引出的引腳輸出表征所述功率器件狀態(tài)的采樣信號(hào)，將功率器件的第二極引出的引腳作為接地端。

可選地，所述功率器件為功率MOSFET，其第一級(jí)為漏極，其第二極為源極，其控制極為柵極。

采用本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型將功率器件和控制模塊均置于基底上且集成于片內(nèi)，由于功率器件需要承載較大電流，通過至少一條金屬帶與引腳連接，以降低阻抗并減少能耗，從而降低芯片溫度，通過合理的電氣連接和引腳布局，本實(shí)用新型在節(jié)能降溫的基礎(chǔ)上，還改善了電氣連接的性能。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型應(yīng)用于功率器件的集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為應(yīng)用本實(shí)用新型的電源轉(zhuǎn)換電路的電路示意圖。

圖中所示：1、功率器件，2、控制模塊，3.1、基底，3.2、引腳，4.1、第一金屬帶，4.2、第二金屬帶，5、引線。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，但本實(shí)用新型并不僅僅限于這些實(shí)施例。本實(shí)用新型涵蓋任何在本實(shí)用新型的精神和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方案。

為了使公眾對(duì)本實(shí)用新型有徹底的了解，在以下本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例中詳細(xì)說明了具體的細(xì)節(jié)，而對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細(xì)節(jié)的描述也可以完全理解本實(shí)用新型。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。需說明的是，附圖均采用較為簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。

參考圖1所示，示意了本實(shí)用新型應(yīng)用于功率器件的集成電路的結(jié)構(gòu)，包括功率器件1、控制模塊2和引線框架，所述的引線框架包括基底3.1和若干個(gè)引腳3.2，所述的功率器件1和控制模塊2均位于引線框架的基底3.1上，本實(shí)施例采用平鋪方式，相比堆疊的方式，平鋪方式可靠性更高。功率器件1的第一極(位于功率器件的下表面)與基底3.1電連接，并通過與基底連接的至少一個(gè)引腳SW引出。功率器件1的第二極S通過金屬帶與引腳GND電連接，所述控制模塊2與功率器件1控制極G和第二極S電連接，控制模塊2與引腳VCC電連接。

所述功率器件的第二極S通過第一金屬帶4.1和第二金屬帶4.2與多個(gè)引腳電連接，該多個(gè)引腳之間電連接，即圖1中所示引腳GND。對(duì)于金屬帶的數(shù)量，可以根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)的空間、引腳的數(shù)量和溫升控制的預(yù)期目標(biāo)等因素綜合考慮和設(shè)置。所述的金屬帶一般采用鋁帶，但不限于這種材料。在工藝步驟上，采用先打金屬帶，再打引線。