[實用新型]一種多邊雙面且高透光率的單晶硅片有效
| 申請號: | 201720139328.0 | 申請日: | 2017-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN206451725U | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發明(設計)人: | 周士杰;陳圣鐵 | 申請(專利權)人: | 溫州隆潤科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/054 | 分類號: | H01L31/054;H01L31/056;H01L31/052 |
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| 搜索關鍵詞: | 一種 多邊 雙面 透光率 單晶硅 | ||
技術領域
本實用新型涉及單晶硅片技術領域,尤其涉及一種多邊雙面且高透光率的單晶硅片。
背景技術
單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素,是晶體材料的重要組成部分,處于新材料發展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優勢,近三十年來,太陽能利用技術在研究開發、商業化生產、市場開拓方面都獲得了長足發展,成為世界快速、穩定發展的新興產業之一。
隨著太陽能電池市場的快速成長,太陽能電池板主要由晶體硅片制作而成,而提高硅片的透光率以及受光率至關重要。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在的透光率以及受光率不夠高的缺點,而提出的一種多邊雙面且高透光率的單晶硅片。
為了實現上述目的,本實用新型采用了如下技術方案:
設計一種多邊雙面且高透光率的單晶硅片,包括硅片層,所述硅片層的頂面設置有第三減反射膜,且硅片層的底面設置有第一減反射膜,所述硅片層的左右兩個側邊均設置有散熱板,且第三減反射膜的頂部設置有透光層,所述透光層的頂面設置有超白鋼化玻璃,所述超白鋼化玻璃遠離透光層的一面貼設有第二減反射膜,所述超白鋼化玻璃的兩端分別通過連接板連接有弧面反射板,所述弧面反射板罩設在硅片層的底部,且弧面反射板的反射聚焦點位于硅片層上。
優選的,所述透光層由多個連續設置的半圓形透鏡組成,且多個所述半圓形透鏡的凸起面為靠近硅片層設置。
優選的,所述弧面反射板的內側貼設有多個反射塊,且多個所述反射塊的反射聚焦點均位于硅片層上。
優選的,所述連接板上開設有多個散熱孔。
本實用新型提出的一種多邊雙面且高透光率的單晶硅片,有益效果在于:本實用新型使硅片層雙面接受光照,以及在硅片層的雙面均設置有減反射膜,能夠有效提高光能的利用效率,并且在硅片層表面設置有穿透性高的超白鋼化玻璃,能夠有效提高透光率,使硅片使用時具有更好的使用效果。
附圖說明
圖1為本實用新型提出的一種多邊雙面且高透光率的單晶硅片的結構示意圖。
圖中:硅片層1、第一減反射膜2、透光層3、超白鋼化玻璃4、第二減反射膜5、第三減反射膜6、半圓形透鏡7、連接板8、散熱板9、反射塊10、弧面反射板11。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。
參照圖1,一種多邊雙面且高透光率的單晶硅片,包括硅片層1,硅片層1的頂面設置有第三減反射膜6,且硅片層1的底面設置有第一減反射膜2,硅片層1的左右兩個側邊均設置有散熱板9,且第三減反射膜6的頂部設置有透光層3,透光層3的頂面設置有超白鋼化玻璃4,超白鋼化玻璃4遠離透光層3的一面貼設有第二減反射膜5,透光層3由多個連續設置的半圓形透鏡7組成,且多個半圓形透鏡7的凸起面為靠近硅片層1設置,半圓形透鏡7能夠大大提高光線的利用率。
超白鋼化玻璃4的兩端分別通過連接板8連接有弧面反射板11,所述連接板8上開設有多個散熱孔,便于對硅片層在使用過程中產生的熱量進行散熱,弧面反射板11罩設在硅片層1的底部,且弧面反射板11的反射聚焦點位于硅片層1上,弧面反射板11的內側貼設有多個反射塊10,且多個反射塊10的反射聚焦點均位于硅片層1上,這樣設置可使穿過超白鋼化玻璃4的部分光線落在弧面反射板11上,再由弧面反射板11上的多個反射塊10將光線反射到硅片層1的底面,使硅片層1雙面受光,提高光能的利用效率。
光線透過超白鋼化玻璃4一部分落在硅片層1的頂面,另一部分照射在弧面反射板11上,再由弧面反射板11上的多個反射塊10將光線反射到硅片層1的底面,使硅片層1雙面受光,提高光能的利用效率。
本實用新型具有結構簡單、使用方便等優點,通過使硅片層雙面接受光照,以及在硅片表面設置穿透性高的超白鋼化玻璃,能夠有效提高硅片的透光率以及受光率。
以上所述,僅為本實用新型較佳的具體實施方式,但本實用新型的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內,根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變,都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





