[實(shí)用新型]層疊電容

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720138632.3
• 申請(qǐng)日: 2017-02-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206961828U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王立芳;趙利川;范東風(fēng);趙鵬輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華大半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 代理公司: 上海專(zhuān)尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31305
• 代理人: 張政權(quán),周承澤

1.一種層疊電容，其特征在于：該電容由有源區(qū)(AA)、多晶硅(P3)和多個(gè)工藝層金屬層層交疊形成，其中相鄰兩工藝層交疊區(qū)域構(gòu)成電容(C)，相鄰兩工藝層是電容(C)的兩極板，所述層的厚度就是電容極板的厚度，所述層的層間介質(zhì)就是電容(C)的電容介質(zhì)，所述層間介質(zhì)的厚度就是電容介質(zhì)的厚度，多層的電容(C)并聯(lián)構(gòu)成層疊電容，不同工藝層在電容(C)兩側(cè)隔層互連。

2.如權(quán)利要求1所述的層疊電容，其特征在于，所述相鄰兩工藝層是指有源區(qū)(AA)和多晶硅(P3)，多晶硅(P3)和第一層金屬(M1)，第一層金屬(M1)和第二層金屬(M2)，第二層金屬(M2)和第三層金屬(M3)，第三層金屬(M3)和第四層金屬(M4)。

3.如權(quán)利要求1所述的層疊電容，其特征在于，所述隔層互連是指有源區(qū)(AA)和M(n-1)層編號(hào)的金屬在電容一側(cè)連接，多晶硅(P3)和M(n)層編號(hào)的金屬在電容另一側(cè)連接，其中，n為偶數(shù)。

4.如權(quán)利要求3所述的層疊電容，其特征在于，所述隔層互連是指有源區(qū)(AA)、第一層金屬(M1)、第三層金屬(M3)在電容一側(cè)連接，多晶硅(P3)、第二層金屬(M2)、第四層金屬(M4)在電容另一側(cè)連接。

5.如權(quán)利要求1所述的層疊電容，其特征在于，所述層疊電容的容值可以通過(guò)調(diào)節(jié)相鄰兩工藝層交疊區(qū)域的面積來(lái)調(diào)整。

6.如權(quán)利要求5所述的層疊電容，其特征在于，所述相鄰兩工藝層交疊區(qū)域的面積大于9μm²且小于2500μm²，并且是正方形、矩形或者多邊形，其中邊長(zhǎng)范圍為3μm至50μm。

7.如權(quán)利要求1所述的層疊電容，其特征在于，所述層疊電容能夠工作在15.5V的高壓下。