[實用新型]鎂蒸氣還原鉭酸鋰晶片的裝置

有效

• 申請號: 201720135248.8
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN206457557U
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 張學鋒;董學祥;梁斌
• 申請（專利權）人: 寧夏鉅晶源晶體科技有限公司
• 主分類號: C30B29/30
• 分類號: C30B29/30;C30B33/00
• 代理公司: 寧夏合天律師事務所64103
• 代理人: 孫彥虎

技術領域

本實用新型涉及一種鉭酸鋰晶片還原裝置，尤其涉及一種鎂蒸氣還原鉭酸鋰晶片的裝置。

背景技術

現有技術中通常是利用直拉法生產鉭酸鋰（LT）晶體，即：使得LT晶體在空氣中或在缺氧狀態下生長，晶體通常成無色或者淡黃色，其電阻率通常在1×10¹⁴Ω·cm~1×10¹⁵Ω·cm，由于在制作濾波器的過程中需要對鉭酸鋰晶片進行加熱，因鉭酸鋰晶片較強的熱電性，從而引起電荷在晶片表面的聚集而產生火花，引起表面圖形的變化，更進一步會引起表面的微裂紋，導致成品率的降低。另外，由于這種LT晶體高的光透過率，在光刻過程中，由于光在基片背部的反射，產生引起圖形分辨率降低的問題。

針對濾波器制作中出現的這些問題，器件對LT晶體提出了新的要求，降低熱釋電效應，降低光透過率。對于這樣的問題，一般采用還原劑，諸如鋁、鎂、碳等還原劑對LT晶體進行還原，使LiTaO₃中失去部分氧，Ta⁺⁵部分變為Ta⁺⁴或Ta⁺³，LT晶體電阻率從1×10¹⁴Ω·cm~10¹⁵Ω·cm變為1×10⁹Ω·cm~10¹²Ω·cm，1mm晶片波長532nm綠光透過率從60%~80%下降到10%~20%，基本克服了制作濾波器時LT的熱電和光透過率比較強的缺點。

現有技術一般采用固體還原劑，采取的方式有漿料涂覆法，粉末掩埋法等。涂覆法要使用專用的漿料，成本較高，要通過涂覆、烘干等工序，工藝操作要求也較高；粉末掩埋法，由于掩埋很難做到沒有空隙，還原后有部分晶片，均勻性不好，常需要返工處理。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種以氣體作為還原劑，還原均勻性較好的鎂蒸氣還原鉭酸鋰晶片的裝置。

一種鎂蒸氣還原鉭酸鋰晶片的裝置，包括爐體、內爐管、旋轉支架及真空裝置，所述爐體內設有容納所述內爐管的空腔，所述內爐管設置在所述爐體的內部空腔內，所述內爐管內設有用于盛裝鎂粉的空腔，所述旋轉支架沿著所述爐體、所述內爐管的長度方向貫穿于所述爐體、所述內爐管的內部，所述旋轉支架包括夾持鉭酸鋰晶片的支架體，且旋轉支架能相對于爐體及內爐管旋轉，以使鎂蒸氣均勻地接觸每片所述鉭酸鋰晶片，進而保證鎂蒸氣均勻地還原所有所述鉭酸鋰晶片，所述真空裝置與所述內爐管內的空腔連通，以通過對所述內爐管的內腔抽真空使爐體內的鎂粉能在較低的加熱溫度下氣化，生成鎂蒸氣。

優選的，所述爐體包括外殼，所述外殼包括筒體、左端蓋、右端蓋，所述筒體為一較大直徑的空心筒體，所述左端蓋、右端蓋分別與所述筒體的左端和右端固定連接，以與所述筒體共同構成一封閉的外殼，所述內爐管設置在所述筒體內，所述內爐管包括管體、電阻絲和兩個爐管法蘭蓋，所述管體為一較小直徑的空心筒體，所述管體與所述筒體同軸設置，所述電阻絲用于與供電裝置電性連接，以作為升溫熱源，所述電阻絲螺旋繞設在所述管體的外壁，以通過所述電阻絲的加熱提升所述內爐管內的溫度，所述管體的左、右兩端分別與兩個所述爐管法蘭蓋密封連接，在所述內爐管內撒入鎂粉，以使所述鎂粉受熱氣化時生成的鎂蒸氣分布在所述內爐管內。

優選的，所述爐體還包括保溫層，所述保溫層為夾持在所述筒體的內壁與所述內爐管的外壁之間的空心的厚筒體，所述保溫層的側面外壁的形狀與所述筒體的內壁相適配，以使所述筒體套設在所述保溫層的外側，所述保溫層開設有左右貫通的內爐管裝配孔，所述內爐管穿入所述內爐管裝配孔內，所述內爐管的外壁與所述內爐管裝配孔的內壁固定連接，以防止熱量從盤繞的所述電阻絲的外側散失。

優選的，所述管體和所述爐管法蘭蓋均由石墨制成，以在保證所述管體和所述爐管法蘭蓋在真空中較好的耐熱性能和導熱性能的前提下避免制成所述管體和所述爐管法蘭蓋的材料的表面在空氣中形成的氧化膜與還原劑氣體發生反應。

優選的，所述管體的內壁的左右兩端均設有密封管內螺紋，所述爐管法蘭蓋的連接部對應設置有密封管外螺紋，所述爐管法蘭蓋通過所述連接部的密封管外螺紋與所述管體密封連接。