[實(shí)用新型]一種AlGaInP發(fā)光二極管薄膜芯片結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720133322.2 | 申請日： | 2017-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN206602125U | 公開（公告）日： | 2017-10-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李樹強(qiáng);江風(fēng)益 | 申請（專利權(quán)）人： | 南昌大學(xué);南昌黃綠照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 江西省專利事務(wù)所36100 | 代理人： | 張文 |
| 地址： | 330047 *** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 algainp 發(fā)光二極管 薄膜 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種AlGaInP發(fā)光二極管薄膜芯片結(jié)構(gòu)，自下而上依次包括：P電極、鍵合基板、鍵合金屬層、金屬反射導(dǎo)電層、介質(zhì)層、P面接觸電極、P型電流擴(kuò)展層、P型限制層、P側(cè)空間層、多量子阱發(fā)光區(qū)、N側(cè)空間層、N型限制層、N型粗化層、N型歐姆接觸層、N電極，其特征在于：在N型限制層和N型粗化層之間設(shè)有N型電流擴(kuò)展層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP發(fā)光二極管薄膜芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：N型粗化層和N限制層之間的N型電流擴(kuò)展層的厚度為2~4微米。
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