[實用新型]一種真空離子鍍膜機有效
| 申請號: | 201720122038.5 | 申請日: | 2017-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN206418191U | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | 穆可剛 | 申請(專利權)人: | 安徽銀立方金屬科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 北京精金石專利代理事務所(普通合伙)11470 | 代理人: | 劉曄 |
| 地址: | 236000 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 真空 離子 鍍膜 | ||
1.一種真空離子鍍膜機,包括平面磁控濺射靶本體及殼體,其特征在于,所述殼體下方設置有向下開口的凹槽,所述凹槽內頂部設置有磁靴,所述磁靴上對稱設置有三組電磁線圈;所述凹槽內底部設置有水平布置的鋁板,所述鋁板下端設置有多個間隔布置的永磁體,所述永磁體通過磁鐵座可拆卸安裝于鋁板下端;所述平面磁控濺射靶本體左右兩端分別通過兩個第二固定螺栓可拆卸固定于殼體下端,所述平面磁控濺射靶本體下端對稱設置有兩個卡條,所述卡條之間卡設有靶材;所述平面磁控濺射靶本體下端設置有包圍平面磁控濺射靶本體左右側面及底面的熄弧罩,所述熄弧罩呈U型且其兩端通過第一固定螺栓固定于平面磁控濺射靶本體側面,所述熄弧罩位于靶材下端處設置有與之適配的缺口。
2.根據權利要求1所述的真空離子鍍膜機,其特征在于,所述平面磁控濺射靶本體上設置有與第二固定螺栓適配的沉孔。
3.根據權利要求1所述的真空離子鍍膜機,其特征在于,所述平面磁控濺射靶本內設置有冷卻通道,所述冷卻通道為水冷通道。
4.根據權利要求3所述的真空離子鍍膜機,其特征在于,所述冷卻通道的側壁設置有防水層。
5.根據權利要求1所述的真空離子鍍膜機,其特征在于,三組電磁線圈分別由三個電流控制器分別控制。
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