[實用新型]一種高頻的寬帶大功率負載芯片

有效

• 申請號: 201720120434.4
• 申請日: 2017-02-09
• 公開（公告）號: CN206451801U
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 譚春明;許歡
• 申請（專利權）人: 成都泰格微電子研究所有限責任公司
• 主分類號: H01P1/26
• 分類號: H01P1/26
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙)51218
• 代理人: 袁英

技術領域

本實用新型涉及一種高頻的寬帶大功率負載芯片。

背景技術

隨著科學技術的發展和社會科技水平的不斷進步，微波毫米波電路已經越來越廣泛地應用于人們的工作和社會的科學實踐中；就目前而言，微波毫米波電路絕大多數選擇50Ω作為系統的參考阻抗，因此在多模塊的系統級聯、測試測量過程中，均要求各模塊的端口阻抗、連接器、測試電纜的特性阻抗均為50Ω，多端口器件中，不用的端口也需要接50Ω匹配負載來吸收信號，避免信號反射回電路中，影響器件性能。

因此在大功率微波產品中，若50Ω負載所能承受的功率不足，就可能會引起負載或產品損壞，對微波毫米波電路的正常工作產生不利影響；但現有的大功率負載芯片中，若想要擴大其承受功率，往往會改變負載芯片內部的匹配阻抗，進而不利于與微波毫米波電路中的其它模塊相匹配。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術的不足，提供一種結構簡單，適用于高頻的寬帶大功率負載芯片。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：一種高頻的寬帶大功率負載芯片，包括介質基片,所述的介質基片的上表面設置有第一金屬帶線、第二金屬帶線和長方形的薄膜電阻層；薄膜電阻層設置于第一金屬帶線和第二金屬帶線之間，且分別與第一金屬帶線和第二金屬帶線電連接；所述介質基片的下表面設置有金屬層。

所述的一種高頻的寬帶大功率負載芯片，還包括接入端口，所述接入端口與第一金屬帶線連接。

所述第一金屬帶線與薄膜電阻層之間存在第一交疊區域，且第一金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區域實現電連接。

所述第二金屬帶線與薄膜電阻層之間存在第二交疊區域，且第二金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區域實現電連接。

所述第二金屬帶線為呈長方形。

所述第二金屬帶線的長寬尺寸大于薄膜電阻層的長寬尺寸。

本實用新型的有益效果是：（1）薄膜電阻的阻值只跟其長寬比有關，跟其絕對尺寸大小無關，同時薄膜電阻的面積越大，能承受的電流就越大，耐受功率也隨之增大；故通過本申請的結構，能夠在寬帶大功率負載芯片匹配阻抗固定的前提下，保證其良好的耐受功率。

（2）基于薄膜電阻層的結構上，薄膜電阻層還需要接地，才能夠實現整個負載芯片的功能，而采用導線、金屬化過孔等方式實現薄膜電阻的接地，在使用時會產生等效電感，從而對高頻接地產生很大的影響，故本申請設置第二金屬帶線連接薄膜電阻層，且在介質基板下表面設置金屬層，使用時介質基板下表面設置金屬層接地，使得第二金屬帶線與地之間形成等效電容，從而高頻信號能夠接地。

（3）第一金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區域實現電連接；第二金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區域實現電連接；由于通過交疊的方式實現金屬帶線和薄膜電阻層之間的電連接，故能夠避免局部脫落對負載芯片工作產生個影響，提高整個寬帶大功率負載芯片的可靠性。

附圖說明

圖1為本實用新型的立體結構示意圖；

圖2為本實用新型的俯視圖；

圖3為薄膜電阻層與第一金屬帶線和第二金屬帶線的連接示意圖。

圖中，1-介質基片，2-第一金屬帶線，3-薄膜電阻層，4-第二金屬帶線，5-第一交疊區域，6-第二交疊區域。

具體實施方式

下面結合附圖進一步詳細描述本實用新型的技術方案，但本實用新型的保護范圍不局限于以下所述。

如圖1~2所示，一種高頻的寬帶大功率負載芯片，包括介質基片1,所述的介質基片1的上表面設置有第一金屬帶線2、第二金屬帶線4和長方形的薄膜電阻層3；薄膜電阻層3設置于第一金屬帶線2和第二金屬帶線4之間，且分別與第一金屬帶線2和第二金屬帶線4電連接；所述介質基片1的下表面設置有金屬層（導電金屬層，如銅等, 且金屬層覆蓋介質基片1的整個下表面）。

所述的一種高頻的寬帶大功率負載芯片還包括接入端口，所述接入端口與第一金屬帶線2連接。

如圖3所示，所述第一金屬帶線2與薄膜電阻層3之間存在第一交疊區域5，且第一金屬帶線2與薄膜電阻層3通過第一交疊區域5實現電連接。

所述第二金屬帶線4與薄膜電阻層3之間存在第二交疊區域6，且第二金屬帶線2與薄膜電阻層3通過第一交疊區域6實現電連接。

所述第二金屬帶線4為呈長方形。

所述第二金屬帶線4的長寬尺寸大于薄膜電阻層3的長寬尺寸。