[實用新型]GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路有效
| 申請號： | 201720115061.1 | 申請日： | 2017-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN206490658U | 公開（公告）日： | 2017-09-12 |
| 發明（設計）人： | 沈美根;朱佳浩;李賀;陳強 | 申請（專利權）人： | 江蘇博普電子科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H03H11/46 | 分類號： | H03H11/46 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司32224 | 代理人： | 耿英,董建林 |
| 地址： | 214131 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gan 芯片 合成 大功率 微波 器件 振蕩 寬帶 匹配 電路 | ||
1.一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，包括封裝在封裝管殼內依次連接的輸入匹配電路、N個GaN芯片和輸出匹配電路；
所述的輸入匹配電路分為兩級，第一級為T型匹配網絡，第二級為N路功率分配器；
所述的輸出匹配電路分為兩級，第一級為T型匹配網絡，第二級為N路功率合成器；
所述T型匹配網絡由N個第一串聯電感、匹配電容和第二串聯電感構成的單元組成；第一串聯電感和第二串聯電感串聯，其共接端經輸入匹配電容接地；
所述N路功率分配器包括二級，第一級由一個輸入端口導出成兩個輸出端口，第二級由兩個輸出端口導出成N個輸出端口；
所述N路功率合成器包括二級，第一級由N個輸入端口導出成兩個輸出端口，第二級由兩個輸出端口導出成一個輸出端口。
2.根據權利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述T型匹配網絡的阻抗變換Q值設置有一上限。
3.根據權利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述T型匹配網絡中的匹配電容旁設有微調電容塊；匹配電容和微調電容塊通過鍵合金絲連接。
4.根據權利要求1或3所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，匹配電容中包括兩個并聯的匹配電容，兩個并聯的匹配電容之間設有隔離電阻。
5.根據權利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，第一串聯電感、第二串聯電感均由鍵合金絲實現。
6.根據權利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述N路功率分配器輸出端口的相位不一致性控制在5度以內。
7.根據權利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述N路功率分配器輸出端和功率合成器輸入端設置有隔離電阻。
8.根據權利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，GaN芯片數N為不小于4的偶數。
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