[實(shí)用新型]超低靜態(tài)功耗隨機(jī)存儲(chǔ)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720106324.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-02-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN206505724U | 公開（公告）日： | 2017-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張一平;王子歐;朱燦焰;張立軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G11C11/417 | 分類號(hào)： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 蘇州翔遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陸金星 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜態(tài) 功耗 隨機(jī) 存儲(chǔ)器 | ||
1.一種超低靜態(tài)功耗隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于：其包括復(fù)數(shù)行6管存儲(chǔ)單元，每?jī)尚兴?管存儲(chǔ)單元之間設(shè)有隔離單元，所述隔離單元用于隔離鄰近該隔離單元的上下兩行6管存儲(chǔ)單元的虛地端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低靜態(tài)功耗隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于：所述隔離單元包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第四PMOS晶體管、第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管；
所述第一PMOS晶體管的柵極連接到字線，漏極連接到第一位線，源極連接到第三PMOS晶體管的漏極；
所述第二PMOS晶體管的柵極連接到字線，漏極連接到第二位線，源極連接到第二NMOS晶體管的漏極；
所述第三PMOS晶體管的源極接電源端，柵極分別連接到第一NMOS晶體管的柵極和第四PMOS晶體管的漏極；
所述第四PMOS晶體管的源極接電源端，柵極分別連接到第一NMOS晶體管的漏極和第二NMOS晶體管的柵極；
所述第一NMOS晶體管的源極接虛地端；
所述第二NMOS晶體管的源極接位于所述隔離單元上一行的6管存儲(chǔ)單元的虛地端。
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