[實用新型]一種功率模塊

有效

• 申請號: 201720106051.1
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN206595255U
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 李慧;楊勝松;廖雯祺;楊欽耀;李艷;張建利;曾秋蓮
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/522;H01L23/31
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙)44325
• 代理人: 譚果林

技術領域

本實用新型涉及混合集成電路領域，特別是涉及一種功率模塊。

背景技術

功率半導體模塊是將多只半導體芯片按一定的電路結構封裝在一起的器件。在一個IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊里，IGBT芯片及二極管芯片被集成到一塊共同的底板上，且模塊的功率器件與其安裝表面(即散熱板)相互絕緣。

傳統的功率半導體模塊塑封成型需要開模，成本較高；另外，功率半導體模塊包含起支撐作用的電氣轉接塊，模塊體積較大，集成度小。

實用新型內容

本實用新型目的在于提供一種功率模塊，旨在解決傳統的功率半導體模塊需要開模，且包含起支撐作用的電氣轉接塊，模塊體積較大的問題。

本實用新型提供了一種功率模塊，包括：

絕緣介質基板，包括圖形化的第一導電層和設于所述第一導電層之上的第一絕緣層，所述第一絕緣層開設有第一導電路徑；

第二絕緣層，設置于所述第一絕緣層之上，所述第二絕緣層開設有第二導電路徑；

圖形化的第二導電層，設置于所述第二絕緣層之上；

至少一個功率半導體芯片，嵌設于所述第一絕緣層和第二絕緣層之間；

其中，所述功率半導體芯片通過所述第一導電路徑與所述第一導電層形成電氣連接，且通過所述第二導電路徑與所述第二導電層形成電氣連接，以構成功率電路。

優選地，所述絕緣介質基板開設有從所述功率半導體芯片一側到達或貫穿所述第一導電層的第一通孔，在所述第一通孔填充導電物質形成所述第一導電路徑；

所述第二絕緣層開設有從所述功率半導體芯片一側到達或貫穿所述第二導電層的第二通孔，在所述第二通孔填充導電物質形成所述第二導電路徑。

優選地，所述功率半導體芯片嵌于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層圍合形成空腔內，所述空腔由開設在所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層上的槽孔形成。

優選地，包括至少一對所述功率半導體芯片，所述第二導電層通過所述導電物質和所述第一導電層將每兩對所述功率半導體芯片電路連接構成半橋功率模塊。

優選地，還包括引出端子，所述引出端子的一端與第一導電層、第一絕緣層或第二導電層固定連接，并電氣連接到所述功率半導體芯片相應的極性引腳上，所述引出端子的另一端向外伸出。

優選地，所述引出端子包括控制端子和功率端子，所述控制端子和功率端子分別位于所述半橋功率模塊相對兩側。

優選地，還包括散熱器，所述散熱器設置所述第一導電層的下表面和/或所述第二導電層的上表面。

優選地，所述散熱器為散熱翅片或平板熱管。

優選地，所述絕緣介質基板為PCB板。

優選地，所述絕緣層為半固化片。

上述的功率模塊封裝無需開塑封模，節省了生產成本；將功率半導體芯片埋入在絕緣介質基板的絕緣層，通過在絕緣層上開設導電路徑使功率半導體芯片的上下表面分別與兩個導電層實現電氣連接，取代電氣轉接塊實現電氣連接，并省略了用于焊接芯片的導電層，減小了模塊的體積，有利于模塊小型化。

附圖說明

圖1為本實用新型較佳實施例中功率模塊的結構示意圖；

圖2為本實用新型其中一個實施例中功率模塊的結構示意圖；

圖3是圖2所示功率模塊的整體布局圖示意圖；

圖4半橋驅動電路的電路原理圖；

圖5為本實用新型另一個實施例中功率模塊的結構示意圖；

圖6是圖5所示功率模塊的整體布局圖示意圖；

圖7為本實用新型實施例中散熱平板的結構示意圖；

圖8為本實用新型實施例中散熱平板的結構示意圖；

圖9為本實用新型較佳實施例中功率模塊的制造方法的流程圖。

具體實施方式

為了使本實用新型要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

請參閱圖1，本實用新型較佳實施例中的功率模塊包括絕緣介質基板10、至少一個功率半導體芯片20、第二絕緣層40及第二導電層50。