[實用新型]一種等離激元增強GaAs基多結太陽電池

有效

• 申請號: 201720105272.7
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN206422080U
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 張曙光;李國強;高芳亮;溫雷;徐珍珠
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L31/0725
• 分類號: H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18;H01L31/0304
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司44245
• 代理人: 陳文姬

1.一種等離激元增強GaAs基多結太陽電池，其特征在于，由下至上依次包括底電極、In_0.3Ga_0.7As底電池、隧穿結、GaAs頂電池和頂電極；所述In_0.3Ga_0.7As底電池由下至上依次包括p-In_0.3Ga_0.7As薄膜、第一n-In_0.3Ga_0.7As薄膜、Ag/Al合金納米顆粒層和第二n-In_0.3Ga_0.7As薄膜。

2.根據權利要求1所述的等離激元增強GaAs基多結太陽電池，其特征在于，所述p-In_0.3Ga_0.7As薄膜的厚度為60-600納米；所述第一n-In_0.3Ga_0.7As薄膜的厚度為20-80納米；所述Ag/Al合金納米顆粒層中的Ag/Al納米金屬顆粒平均高度為10-20納米，平均直徑為10-30納米；所述第二n-In_0.3Ga_0.7As薄膜的厚度為80-250納米。

3.根據權利要求1所述的等離激元增強GaAs基多結太陽電池，其特征在于，所述隧穿結為重摻GaAs遂穿結，由下至上依次包括n-GaAs薄膜和p-GaAs薄膜，所述n-GaAs薄膜厚度為3-8納米；所述p-GaAs薄膜的厚度為3-8納米。

4.根據權利要求1所述的等離激元增強GaAs基多結太陽電池，其特征在于，所述GaAs頂電池由下至上依次包括p-GaAs薄膜和n-GaAs薄膜；所述p-GaAs薄膜厚度為100-800納米；所述n-GaAs薄膜的厚度為2-5微米。

5.根據權利要求1所述的等離激元增強GaAs基多結太陽電池，其特征在于，所述底電極為AuGeNi薄膜，厚度為300-600納米。

6.根據權利要求1所述的等離激元增強GaAs基多結太陽電池，其特征在于，所述頂電極為Au薄膜，厚度為300-600納米。