[實用新型]單向低電容TVS器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720104772.9
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN206672932U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發(fā)明（設計）人: 張常軍;鄧曉虎
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/70
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.一種單向低電容TVS器件，其特征在于，所述單向低電容TVS器件包括：

第一導電類型襯底；

第一導電類型外延層，所述第一導電類型外延層形成于所述第一導電類型襯底上；

第二導電類型埋層，所述第二導電類型埋層形成于所述第一導電類型外延層中；

第二導電類型外延層，所述第二導電類型外延層形成于所述第一導電類型外延層上；

多個隔離結構，所述多個隔離結構貫穿所述第二導電類型外延層，所述多個隔離結構將所述第二導電類型外延層分為多個區(qū)域，所述多個區(qū)域包括：第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域及第四區(qū)域；

第一導電類型隔離，所述第一導電類型隔離形成于所述第一區(qū)域中，所述第一導電類型隔離延伸至所述第一導電類型外延層；

第二導電類型注入?yún)^(qū)，所述第二導電類型注入?yún)^(qū)形成于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域及第四區(qū)域中；

第一導電類型注入?yún)^(qū)，所述第一導電類型注入?yún)^(qū)形成于第二區(qū)域及第三區(qū)域中。

2.如權利要求1所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述單向低電容TVS器件還包括：第一金屬線，所述第一金屬線連接所述第一區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)和所述第二區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)；第二金屬線，所述第二金屬線連接所述第二區(qū)域中的第一導電類型注入?yún)^(qū)和所述第三區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)；第三金屬線，所述第三金屬線連接所述第三區(qū)域中的第一導電類型注入?yún)^(qū)和所述第四區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)；其中，所述第三金屬線與第一電源連接，所述第一導電類型襯底與地連接。

3.如權利要求2所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述多個區(qū)域還包括第五區(qū)域，所述第二導電類型注入?yún)^(qū)還形成于所述第五區(qū)域中，所述第一導電類型注入?yún)^(qū)還形成于所述第五區(qū)域中；所述第二金屬線連接所述第二區(qū)域 中的第一導電類型注入?yún)^(qū)和所述第五區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)，以及所述第二金屬線連接所述第五區(qū)域中的第一導電類型注入?yún)^(qū)和所述第三區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)。

4.如權利要求2所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述多個區(qū)域還包括第六區(qū)域、第七區(qū)域及第八區(qū)域；

所述第二導電類型注入?yún)^(qū)還形成于所述第六區(qū)域、第七區(qū)域及第八區(qū)域中；

所述第一導電類型注入?yún)^(qū)還形成于所述第六區(qū)域及所述第七區(qū)域中；

第四金屬線，所述第四金屬線連接所述第一區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)和所述第六區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)；第五金屬線，所述第五金屬線連接所述第六區(qū)域中的第一導電類型注入?yún)^(qū)和所述第七區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)；第六金屬線，所述第六金屬線連接所述第七區(qū)域中的第一導電類型注入?yún)^(qū)和所述第八區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)；其中，所述第六金屬線與第二電源連接。

5.如權利要求1～4中任一項所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

6.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型襯底為重摻雜結構，所述第一導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第二導電類型埋層為重摻雜結構，所述第二導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第一導電類型隔離為重摻雜結構，所述第二導電類型注入?yún)^(qū)為重摻雜結構，所述第一導電類型注入?yún)^(qū)為重摻雜結構。

7.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型襯底的電阻率為0.005Ω.cm～0.008Ω.cm。

8.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型外延層的電阻率為2.0Ω.cm～4.0Ω.cm。

9.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第二導電類型外延層的電阻率為25Ω.cm～35Ω.cm。

10.如權利要求2～4中任一項所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一區(qū)域中的第二導電類型注入?yún)^(qū)與所述第一導電類型隔離構成穩(wěn)壓二極管；所述第二區(qū)域的第一導電類型注入?yún)^(qū)與所述第二區(qū)域的第二導電類型外延 層構成了第二普通二極管；所述第三區(qū)域的第一導電類型注入?yún)^(qū)與所述第三區(qū)域的第二導電類型外延層構成了第一普通二極管；所述第四區(qū)域的第二導電類型外延層與所述第一導電類型外延層構成第三普通二極管。