[實用新型]具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED調(diào)光電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720103348.2
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN206559682U
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳建良;顧南昌;吳潔
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫恒芯微科技有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙)32260
• 代理人: 張歡勇

1.一種具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED調(diào)光電路，包括LED照明電路和調(diào)光電路；所述照明電路包括LED燈管，燈管還連接由電阻、電容和電感組成的LC振蕩電路；所述調(diào)光電路包括高壓轉(zhuǎn)低壓模塊、退磁時間檢測模塊、開關(guān)控制模塊、峰值檢測模塊以及調(diào)光信號輸入端；所述調(diào)光信號輸入端用于輸入直流信號和PWM信號；所述高壓轉(zhuǎn)低壓模塊連接LED照明電路的LED燈管和電感之間的節(jié)點，輸出供外部設(shè)備或控制器使用的工作電壓；所述開關(guān)控制模塊包括若干組控制通道，每個通道連接一個調(diào)光信號輸入端和一個高壓MOS管的柵極，該高壓MOS管的漏極連接一路照明電路，在高壓MOS管關(guān)閉時，電感進(jìn)行退磁放電；所述退磁時間檢測模塊檢測照明電路的電感退磁時間，且根據(jù)輸入的直流信號調(diào)整高壓MOS管的關(guān)閉時間從而調(diào)整退磁時間；所述峰值檢測模塊用于檢測高壓MOS管的源極電壓，根據(jù)檢測到的源極電壓通過開關(guān)控制模塊控制高壓MOS管的關(guān)閉從而調(diào)整LED調(diào)光電路中電感放電的峰值；所述開關(guān)控制模塊根據(jù)輸入的PWM信號、退磁時間檢測模塊的輸出信號以及峰值檢測模塊的信號控制高壓MOS管的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED調(diào)光電路，其特征在于：所述峰值檢測模塊包括峰值檢測比較器，峰值檢測比較器的一端連接高壓MOS管的源極，輸入基電壓，當(dāng)高壓MOS管的源極電壓達(dá)到基準(zhǔn)電壓時，峰值檢測比較器輸出控制信號給開關(guān)控制模塊關(guān)閉高壓MOS管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED調(diào)光電路，其特征在于：所述高壓轉(zhuǎn)低壓模塊的輸出端還連接5V電壓產(chǎn)生模塊，5V電壓產(chǎn)生模塊設(shè)有端口用于連接MCU控制系統(tǒng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED調(diào)光電路，其特征在于：高壓轉(zhuǎn)低壓模塊包括高壓JFET，高壓JFET的源極連接MOS管M2的漏極，還通過一個電阻連接MOS管M1的漏極，MOS管M2和MOS管M1的柵極相連接，且MOS管M2的漏極和柵極相連接，MOS管M2的源極輸出供外部設(shè)備使用的直流電壓，MOS管M2連接的源極連接遲滯比較器，遲滯比較器輸入基準(zhǔn)電壓，遲滯比較器再連接控制電路調(diào)控MOS管M2的柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有PWM和DIM調(diào)光的非隔離LED調(diào)光電路，其特征在于：所述退磁時間檢測模塊包括一個放大器、邏輯控制模塊和電容，放大器的輸入端連接高壓MOS管的柵極，放大器連接邏輯控制模塊產(chǎn)生控制信號，控制信號控制對電容充電的電流大小，產(chǎn)生時間控制信號控制高壓MOS管柵極的關(guān)閉時間。