[實(shí)用新型]半導(dǎo)體處理腔室部件組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720101925.4
• 申請(qǐng)日: 2017-01-26
• 公開（公告）號(hào): CN206758409U
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: V·菲魯茲多爾;I·優(yōu)素福;S·E·巴巴揚(yáng);R·丁德薩;C·李;K·多恩;A·奧馬利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/673
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 錢慰民

1.一種半導(dǎo)體處理腔室部件組件，所述半導(dǎo)體處理腔室部件組件包括：

第一半導(dǎo)體處理腔室部件；

第二半導(dǎo)體處理腔室部件；以及

密封構(gòu)件，所述密封構(gòu)件具有由聚四氟乙烯(PTFE)形成的主體，并且在所述第一半導(dǎo)體處理腔室部件和所述第二半導(dǎo)體處理腔室部件之間提供密封，所述主體包括：

第一表面，所述第一表面被配置成暴露于等離子體處理區(qū)域；

第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對(duì)；

第一密封表面，所述第一密封表面在所述第一表面和所述第二表面之間延伸，所述第一密封表面接觸所述第一半導(dǎo)體處理腔室部件；以及

第二密封表面，所述第二密封表面在所述第一表面和所述第二表面之間延伸，所述第二密封表面接觸所述第二半導(dǎo)體處理腔室部件。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體包括第一部分和第二部分，所述第一部分由PTFE形成，并且所述第二部分由FKM或FFKM聚合物形成。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述密封表面由所述第一部分和所述第二部分組成。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體包括中空內(nèi)芯。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，用彈性材料填充中空內(nèi)芯。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體是四邊形的。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體包括在0.02μm至0.8μm的范圍內(nèi)的表面光潔度。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體處理腔室部件是靜電卡盤主體。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體處理腔室部件是冷卻基座。

10.一種半導(dǎo)體處理腔室部件組件，所述半導(dǎo)體處理腔室部件組件包括：

靜電卡盤；

冷卻基座；以及

密封構(gòu)件，所述密封構(gòu)件具有由聚四氟乙烯(PTFE)形成的主體，并且在所述靜電卡盤和所述冷卻基座之間提供密封，所述主體包括：

第一表面，所述第一表面被配置成暴露于等離子體處理區(qū)域；

第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對(duì)；

第一密封表面，所述第一密封表面在所述第一表面和所述第二表面之間延伸，所述第一密封表面接觸所述靜電卡盤；以及

第二密封表面，所述第二密封表面在所述第一表面和所述第二表面之間延伸，所述第二密封表面接觸所述冷卻基座。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體包括第一部分和第二部分，所述第一部分由PTFE形成，并且所述第二部分由FKM或FFKM聚合物形成。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述第二部分由SiC、TiO₂、Ba₂SO₄、MgO中的一種形成。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述密封表面由所述第一部分和所述第二部分組成。

14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體包括中空內(nèi)芯。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體壓縮2.54mm。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，用彈性材料填充中空內(nèi)芯。

17.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體是四邊形的。

18.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體處理腔室部件組件，其特征在于，所述主體包括在0.02μm至0.8μm的范圍內(nèi)的表面光潔度。