[實用新型]一種反激輸出高壓二極管替代電路

有效

• 申請號: 201720100955.3
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN206370772U
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 李建山;華強
• 申請（專利權）人: 杭州中恒派威電源有限公司
• 主分類號: H02M1/44
• 分類號: H02M1/44
• 代理公司: 杭州華知專利事務所33235
• 代理人: 龍湖浩

1.一種反激輸出高壓二極管替代電路，包括變壓器、濾波單元、負載，所述的變壓器包括初級繞組、鐵芯以及次級繞組；其特征在于：還包括第一二極管、第二二極管、電壓箝位單元；

所述的次級繞組串聯第一二極管、第二二極管和負載；所述的次級繞組包括第一端子和第二端子，所述的第一端子連接所述的第一二極管的陽極；所述的第一二極管和所述的第二二極管同向串聯；所述的電壓箝位單元的一端連接所述的第一二極管的陰極，所述的電壓箝位單元的另一端連接所述的第二端子。

2.根據權利要求1所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的電壓箝位單元包括第三二極管，所述的第三二極管的陰極連接所述的第一二極管的陰極，所述的第三二極管的陽極連接所述的第二端子。

3.根據權利要求2所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的電壓箝位單元還包括三極管，所述的三極管與所述的第三二極管相互并聯；所述的三極管的集電極連接所述的第一二極管的陰極，所述的三極管的發射極連接所述的第二端子。

4.根據權利要求1所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的電壓箝位單元包括MOSFET，所述的MOSFET的漏極連接所述的第一二極管的陰極，所述的MOSFET的源極連接所述的第二端子。

5.根據權利要求1所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的電壓箝位單元包括電阻。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的第二二極管的陽極連接所述的電壓箝位單元，所述的第二二極管的陰極連接負載。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的第二二極管的陽極連接負載，所述的第二二極管的陰極連接所述的電壓箝位單元。

8.根據權利要求1所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的濾波單元與所述的負載并聯。

9.根據權利要求1所述的一種反激輸出高壓二極管替代電路，其特征在于：所述的濾波單元為電容。