[實用新型]電平轉換電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720100542.5 | 申請日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN206498388U | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陸建華;馬杰;周帥林 | 申請(專利權)人: | 江蘇安其威微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175;H03K19/007 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司31300 | 代理人: | 肖華 |
| 地址: | 226200 江蘇省南通市南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電平 轉換 電路 | ||
1.一種電平轉換電路,其特征在于,包括:
第一倒相器,其輸入端輸入輸入信號IN;
第二倒相器,其輸入端與第一倒相器的輸出端連接;
第三倒相器,其輸入端與第二倒相器的輸出端連接;
第一NMOS管,其源極端接地,柵極端連接第一倒相器的輸出端;
第二NMOS管,其源極端接地,柵極端連接第二倒相器的輸出端;
第三NMOS管,其源極端接地,柵極端連接第三倒相器的輸出端;
第四NMOS管,其源極端連接第一NMOS管的漏極端;
第五NMOS管,其源極端連接第二NMOS管的漏極端;
第六NMOS管,其源極端連接第三NMOS管的漏極端;
第一PMOS管;
第二PMOS管;
初級NPN管組,其包括第一NPN管和第二NPN管,第一NPN管的集電極與第一PMOS管的漏極端連接,基極與集電極連接,發(fā)射極與第四NMOS管的漏極端連接,第二NPN管的集電極與第二PMOS管的漏極端連接,基極與集電極連接,發(fā)射極與第五NMOS管的漏極端連接;
第三PMOS管,柵極端與第二PMOS管的漏極端連接;
第四PMOS管,其源極端與第三PMOS管的漏極端連接,漏極端與第六NMOS管的漏極端連接,其中,從第四PMOS管的源極端輸出輸出信號OUT。
2.如權利要求1所述的電平轉換電路,其特征在于:
所述第四NMOS管,所述第五NMOS管、所述第六NMOS管的柵極端分別輸入低電位電壓VDD,所述第一倒相器、所述第二倒相器、所述第三倒相器的電源電壓為所述低電位電壓VDD。
3.如權利要求1或2所述的電平轉換電路,其特征在于:
所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管的源極端分別輸入高電位電壓VCC。
4.如權利要求1或2所述的電平轉換電路,其特征在于:
所述第四PMOS管的柵極端輸入微電流電壓偏置。
5.如權利要求1或2所述的電平轉換電路,其特征在于:
所述輸入信號IN的范圍為0.5V~2.5V,所述輸出信號OUT的范圍為3V~5V。
6.如權利要求1或2所述的電平轉換電路,其特征在于,進一步包括:
一個以上的串級NPN管組,每一個串級NPN管組包括第一NPN管和第二NPN管,其中,每一個串級NPN管組中的第一NPN管的基極與集電極連接,第二NPN管的基極與集電極連接,并且
所述一個以上的串級NPN管組中的所有的第一NPN管按照一個第一NPN管的發(fā)射極與另一個第一NPN管的集電極連接的方式串行連接在所述初級NPN管組的所述第一NPN管的發(fā)射極與所述第四NMOS管的漏極端之間,其中,未被與所述一個以上的串級NPN管組中的第一NPN管的集電極連接的第一NPN管的發(fā)射極與所述第四NMOS管的漏極端連接,而未被與所述一個以上的串級NPN管組中的第一NPN管的發(fā)射極連接的第一NPN管的集電極與所述初級NPN管組的所述第一NPN管的發(fā)射極連接,
所述一個以上的串級NPN管組中的所有的第二NPN管按照一個第二NPN管的發(fā)射極與另一個第二NPN管的集電極連接的方式串行連接在所述初級NPN管組的所述第二NPN管的發(fā)射極與所述第五NMOS管的漏極端之間,其中,未被與所述一個以上的串級NPN管組中的第二NPN管的集電極連接的第二NPN管的發(fā)射極與所述第五NMOS管的漏極端連接,而未被與所述一個以上的串級NPN管組中的第二NPN管的發(fā)射極連接的第二NPN管的集電極與所述初級NPN管組的所述第二NPN管的發(fā)射極連接。
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