[實(shí)用新型]N型雙面電池結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720094304.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206789552U | 公開(公告)日: | 2017-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李華;魯偉明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0352 | 分類號(hào): | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243 | 代理人: | 王素琴 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 電池 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種N型雙面電池結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
目前太陽能電池中使用的硅材料主要有兩類,分別為N型硅材料和P型硅材料。其中,N型硅材料與P型硅材料相比,具有以下的優(yōu)點(diǎn):N型材料中的雜質(zhì)對(duì)少子空穴的捕獲能力低于P型材料中的雜質(zhì)對(duì)少子電子的捕獲能力。相同電阻率的N型硅片的少子壽命比P型硅片的高,達(dá)到毫秒級(jí)。N型硅片對(duì)金屬污雜的容忍度要高于P型硅片,F(xiàn)e、Cr、Co、W、Cu、Ni等金屬對(duì)P型硅片的影響均比N型硅片大。N型硅電池組件在弱光下表現(xiàn)出比常規(guī)P型硅組件更優(yōu)異的發(fā)電特性。人們?cè)絹碓疥P(guān)注少子壽命更高、發(fā)展?jié)摿Ω蟮腘型電池。
在N型雙面電池中制約效率提升的重要因素是背表面及其金屬化帶來的復(fù)合。
上述問題是在太陽能電池的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)過程中應(yīng)當(dāng)予以考慮并解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種N型雙面電池結(jié)構(gòu),能夠大大減少背表面及其電極區(qū)域帶來的復(fù)合,解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的背表面及其電極區(qū)域復(fù)合嚴(yán)重,制約N型雙面電池效率的問題。
本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是:
一種N型雙面電池結(jié)構(gòu),包括基體,基體為N型,基體的正面為摻硼的發(fā)射極,發(fā)射極上沉積有第一減反鈍化膜,第一減反鈍化膜上有正面電極,正面電極穿透第一減反鈍化膜與發(fā)射極形成歐姆接觸;基體的背面生長(zhǎng)一層薄膜,即隧穿氧化層,隧穿氧化層上設(shè)有摻雜多晶硅層,摻雜多晶硅層上沉積有第二減反鈍化膜,第二減反鈍化膜上設(shè)置有背面電極,背面電極穿透第二減反鈍化膜與摻雜多晶硅層形成歐姆接觸。
進(jìn)一步地,基體正面的發(fā)射極采用三溴化硼B(yǎng)Br3高溫?cái)U(kuò)散,常壓氣相沉積APCVD法沉積硼硅玻璃BSG退火或離子注入硼源退火形成;第一減反射鈍化膜采用SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜、SiOxNy薄膜中的一種或者多種疊層構(gòu)成,厚度為50-90nm。
進(jìn)一步地,基體背面生長(zhǎng)的隧穿氧化層為SiO2、Al2O3、TiO2或MoOx,厚度為1-4nm。
進(jìn)一步地,背面生長(zhǎng)的隧穿氧化層為SiO2時(shí),隧穿氧化層生長(zhǎng)采用熱HNO3氧化、熱氧化或臭氧水氧化的生長(zhǎng)方式,當(dāng)隧穿氧化層為Al2O3、TiO2或MoOx時(shí),隧穿氧化層生長(zhǎng)采用原子層氣相沉積或者PVD法。
進(jìn)一步地,基體背面的摻雜多晶硅層為磷摻雜多晶硅層,基體背面的摻雜多晶硅層生長(zhǎng)方式為等離子體輔助氣相沉積法PECVD沉積非晶硅退火或者低壓化學(xué)氣相沉積LPCVD沉積多晶硅退火。
進(jìn)一步地,基體背面的摻雜層多晶硅層采用原位摻雜、擴(kuò)散摻雜或者離子注入摻雜方式,退火溫度為750-1050oC。
進(jìn)一步地,基體背面的摻雜層多晶硅層厚度為40nm-300nm,方阻為20-200Ω/□。
進(jìn)一步地,基體背面的第二減反射鈍化膜是SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜或SiOxNy薄膜中的一種或者多種疊層構(gòu)成,厚度為50-90nm。
進(jìn)一步地,正面電極與背面電極分別采用絲網(wǎng)印刷、電鍍、化學(xué)鍍或物理氣相沉積PVD方式形成,正面電極與背面電極分別為Ni、Cu、Ag、Cr、Ti、Pd中的一種或兩種以上的組合。
本實(shí)用新型的有益效果是:該種N型雙面電池結(jié)構(gòu),通過在表面設(shè)置隧穿氧化層,在基體和背表面場(chǎng)區(qū)域之間形成勢(shì)壘,阻止了空穴向背場(chǎng)區(qū)域的流動(dòng),從而大大減少了背場(chǎng)及其電極區(qū)域帶來的復(fù)合。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例N型雙面電池結(jié)構(gòu)的示意圖;
其中:1-基體,2-發(fā)射極,3-第一減反鈍化膜,4-正面電極,5-隧穿氧化層,6-摻雜多晶硅層,7-第二減反鈍化膜,8-背面電極。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。
實(shí)施例
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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