[實用新型]一種PERC電池鍍膜用掩膜結構有效
| 申請號: | 201720090661.7 | 申請日: | 2017-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN206432282U | 公開(公告)日: | 2017-08-22 |
| 發明(設計)人: | 袁中存;黨繼東 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陸金星 |
| 地址: | 215129 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 perc 電池 鍍膜 膜結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池片的制備,尤其涉及一種PERC電池鍍膜用掩膜結構。
背景技術
常規的化石燃料日益消耗殆盡,在所有的可持續能源中,太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前,在所有的太陽電池中,晶體硅太陽電池是得到大范圍商業推廣的太陽能電池之一,這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量,同時晶體硅太陽電池相比其他類型的太陽能電池有著優異的電學性能和機械性能,因此,晶體硅太陽電池在光伏領域占據著重要的地位。
現有常規技術中,晶體硅太陽能電池的制備工藝主要包括:清洗、去損傷層、制絨、擴散制結、刻蝕、沉積減反射膜、印刷、燒結、電池片測試。目前為了提升光伏行業的競爭力,各種高效的電池片工藝陸續被開發并實現量產。而高效電池片的技術中PERC工藝已經得到廣泛推廣,PERC工藝技術需要沉積三次不同的膜層來完成正面和背面的鈍化,即背面氧化鋁、背面氮化硅、正面氮化硅,而由于背面的電極漿料不能直接穿透氧化鋁和氮化硅,因此還需要利用激光開槽。因此PERC工藝較常規工藝相比,要增加兩道工序,導致成本相對也較高。
發明內容
本實用新型的目的在于提供一種PERC電池鍍膜用掩膜結構。
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種PERC電池鍍膜用掩膜結構,其特征在于:包括一石墨框和一掩膜板,其中:
所述石墨框上設置有多個網格,每個網格對應一硅片設置;
所述掩膜板上設置有與石墨框上的網格一一對應的單元格,每個單元格內由鏤空區域和非鏤空區域組成,非鏤空區域對應于待覆蓋的電極漿料設置;
在使用狀態下,硅片置于石墨框和掩膜板之間,石墨框和掩膜板之間通過定位結構相對定位。
上述方案中,所述掩膜板上,所述鏤空區域面積占掩膜板總面積的1~5%,非鏤空區域面積占掩膜板總面積的30~50%,其中,鏤空區域是需要沉積氧化鋁和氮化硅薄膜的區域,非鏤空區域是無需沉積氧化鋁和氮化硅薄膜的區域。
上述方案中,在使用狀態下,所述石墨框和掩膜板之間通過螺絲或夾具定位。
上述方案中,每個單元格中,單元格的兩條對角線為非鏤空區域,兩條對角線將單元格內區域分為四個三角形區域,每個三角形區域中,所述鏤空區域及非鏤空區域間隔且平行于單元格對應的側邊布置。
優選地,每個三角形區域中,沿單元格中心指向對應單元格側邊的方向上,各非鏤空區域的長度依次遞增,各鏤空區域的長度也依次遞增。
優選地,每個三角形區域中,沿單元格中心指向側邊沿的方向上,相鄰兩條鏤空區域中,靠近單元格中心的鏤空區域的長邊長度為遠離單元格中心的鏤空區域的長邊長度的2/3~3/4。
優選地,所述單元格中,最靠近單元格側邊的鏤空區域的長邊長度為145~150毫米。
上述方案中,所述單元格的四個頂點沿順時針方向依次定義為第一頂點、第二頂點、第三頂點和第四頂點,沿第一頂點和第二頂點的連線方向間隔設置有彼此平行的鏤空區域和非鏤空區域,且鏤空區域的長度由中心向兩端遞減。
優選地,沿鏤空區域長度的遞減方向,相鄰兩條鏤空區域中,長鏤空區域的長度為短鏤空區域長度的3/2~4/3倍。
優選地,最短鏤空區域的長度為10~15毫米。
優選地,所述單元格中,各非鏤空區域的寬度為5~10毫米。
上述方案中,所述掩膜板上的圖形(即鏤空區域和非鏤空區域的布局及結構)可以根據實際所需進行調整。
上述方案中,所述掩膜板由石墨制成。
上述方案中,非鏤空區域與硅片相互接觸。
由于上述技術方案運用,本實用新型與現有技術相比具有下列優點:
1.本實用新型是利用石墨框掩膜板,將現有技術中需要通過激光開槽的區域,利用石墨框掩膜板的非鏤空區域遮蓋,使需激光開槽的區域不再沉積氧化鋁和氮化硅薄膜,無需再用激光進行開槽,從而減少了PERC電池的工序,降低了成本;
2. 本實用新型使用了掩膜板,由于無需激光開槽,也就避免了激光開槽過程中對硅片帶來的損傷,提升了效率;
3. 本實用新型所使用的石墨框掩膜板,可根據不同圖形的需要制定石墨框掩膜板,使用靈活廣泛;
4. 本實用新型的掩膜板使用石墨材質,不易發生形變,無污染,耐酸洗;
5. 本實用新型結構簡單,適于推廣。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例石墨框結構示意圖。
圖2為本實用新型實施例一掩膜板結構示意圖。
圖3為本實用新型實施例一掩膜板一個單元格的結構示意圖。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





