[實用新型]一種圓形平面靶磁控濺射基片運動裝置

有效

• 申請號: 201720087192.3
• 申請日: 2017-01-23
• 公開（公告）號: CN206502858U
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 侯則良
• 申請（專利權）人: 福建省諾希科技園發展有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 福州市鼓樓區鼎興專利代理事務所(普通合伙)35217
• 代理人: 劉建功

技術領域

本實用新型涉及磁控濺射鍍膜設備技術領域，具體為一種圓形平面靶磁控濺射基片運動裝置。

背景技術

磁控濺射的工作原理是被離化的 Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射，在濺射粒子中，中性的靶原子或離子沉積在基片上形成薄膜。

如今，磁控濺射技術作為一種十分有效的播磨沉積方法，被普遍和成功的地應用于許多方面，特別是在微電子、光學薄膜和材料表面處理領域中，用于薄膜沉積和表面覆蓋層的制備。尤其在工業生產中，薄膜均勻性、靶材利用率、沉積速率以及濺射過程穩定性等都是人們普遍關心的問題。然而，現有的磁控濺射鍍膜設備中，由于磁場的作用，通常會造成靶上局部位置的濺射刻蝕速率極大，其結果是在較短時間內靶上就會產生顯著的不均勻刻蝕，從而造成平面靶的靶材利用率不超過30%，實際應用中，人們為了消除靶面的不均勻刻蝕造成的影響，而獲得均勻性更好的膜層，通常會通過增加濺射靶的尺寸來保證薄膜的均勻性，然而此方法太過于保守，不僅造成靶材的大量浪費，尤其對于一些貴重靶材材料，并且效率得不到保證。

發明內容

本實用新型目的在于提供一種在基片的較大面積范圍內能得到均勻膜層的圓形平面靶磁控濺射基片運動裝置。

為實現本實用新型目的，本實用新型采用以下技術方案：一種圓形平面靶磁控濺射基片運動裝置，其包括真空室，所述真空室內上部設置有一行星基片架，真空室側壁底部設置有一抽氣孔和一充氣孔，所述行星基片架包括自轉電機、公轉電機、減速裝置、公轉軸、中齒輪一、中齒輪二、連接軸、小齒輪、若干自轉齒輪、若干自轉軸、公轉盤以及若干工件夾，公轉電機和減速裝置固定在真空室頂壁上方，公轉電機輸出端外接減速裝置，減速裝置的輸出端與公轉軸連接，該公轉軸進入真空室后自上而下依次穿過中齒輪一、中齒輪二并與兩中齒輪均通過軸承固定，所述公轉盤螺栓連接于公轉軸端部，該公轉盤沿其周向均勻設置有若干圓通孔，其中一個圓通孔下方安裝有一個加熱器一，所述若干自轉軸均穿過圓通孔并通過軸承與公轉盤固定，每個自轉軸下端與工件夾固定、上端與自轉齒輪固定，所述自轉齒輪與中齒輪二嚙合傳動，所述自轉電機垂直固定于真空室頂壁，其輸出端與連接軸連接，所述小齒輪套固于連接軸端部，所述小齒輪與中齒輪一嚙合傳動，真空室內底部上還安裝有加熱器二和磁控濺射靶，該加熱器二位于工件夾正下方，磁控濺射靶位于工件夾邊緣的下方。

進一步地，所述中齒輪一與中齒輪二通過一套設于公轉軸外側且位于中齒輪一與中齒輪二之間的套筒焊接固定為一體，以保證傳動的同步性。

進一步地，所述公轉軸中心設置為空心結構，使得公轉盤上的加熱器一的電線能從公轉軸的內部引出，避免電線在公轉過程中發生纏繞。

本實用新型結構簡單，安裝方便，通過使用自轉基片與濺射靶的偏心布置有效的增大膜層的面積，采用基片的自轉加公轉的復合運動形式大大的提高了膜厚的均勻性，并且可通過自行設計合適的公自轉轉速比，從而改變基片上的運動軌跡，以達到在基片的較大面積范圍內能得到均勻膜層的目的，有效的提高了鍍膜效率。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型較佳實施例做詳細描述。