[實用新型]透明導電結構

有效

• 申請號: 201720057148.8
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN206388515U
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 楊志剛;張志強;王志建
• 申請（專利權）人: 武漢光谷創元電子有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 周心志,劉林華

1.一種透明導電結構，其包括透明基板，所述透明基板具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面，其特征在于，所述透明導電結構還包括：

第一網格結構和第一透明絕緣層，所述第一網格結構位于所述透明基板上，所述第一透明絕緣層覆蓋所述第一網格結構并且覆蓋所述透明基板的第一表面；

所述第一網格結構包括：

第一導電籽晶層，所述第一導電籽晶層設置在所述透明基板的第一表面上且從所述透明基板的第一表面嵌入所述透明基板內部；以及

第一金屬加厚層，所述第一金屬加厚層設置在所述第一導電籽晶層的上部且與所述第一導電籽晶層緊密相連。

2.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一導電籽晶層從所述透明基板的第一表面嵌入所述透明基板內部的深度為1到100納米，且所述第一金屬加厚層的厚度為0.1到100微米。

3.根據權利要求2所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一導電籽晶層從所述透明基板的第一表面嵌入所述透明基板內部的深度為10到50納米，并且所述第一金屬加厚層的厚度為0.5到12微米。

4.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一導電籽晶層包括離子注入層和等離子體沉積層，或者所述第一導電籽晶層包括離子注入層和磁控濺射層；其中，所述離子注入層的下表面位于所述透明基板的第一表面以下或孔壁表面以下1到100納米的深度，所述離子注入層的上表面與所述透明基板的第一表面或孔壁表面平齊，所述等離子體沉積層位于所述離子注入層上且與所述離子注入層緊密相連，并且所述第一金屬加厚層與所述等離子體沉積層緊密相連；或者，所述離子注入層的下表面位于所述透明基板的第一表面以下或孔壁表面以下1到100納米的深度，所述離子注入層的上表面與所述透明基板的第一表面或孔壁表面平齊，所述磁控濺射層位于所述離子注入層上且與所述離子注入層緊密相連，并且所述第一金屬加厚層與所述磁控濺射層緊密相連。

5.根據權利要求4所述的透明導電結構，其特征在于，所述離子注入層、等離子體沉積層、磁控濺射層的成分包括Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、Sn、Zn中的一種。

6.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述透明基板為剛性基板或撓性基板；其中，所述剛性基板包括玻璃、玻璃纖維或硬質泡沫塑料，所述撓性基板包括聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯或三醋酸纖維。

7.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一網格結構的線寬為1到15微米，并且所述第一網格結構的線距為50到500微米。

8.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一網格結構的形狀呈柵格狀圖案、菱形圖案或正方格狀圖案。

9.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一透明絕緣層為光學膠。

10.根據權利要求9所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一透明絕緣層為透明亞克力膠。

11.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一透明絕緣層的厚度為10到100微米。

12.根據權利要求1所述的透明導電結構，其特征在于，所述第一導電籽晶層包括離子注入層、金屬沉積層和銅沉積層，所述離子注入層的下表面位于所述透明基板的第一表面以下或孔壁表面以下1到100納米的深度，所述離子注入層的上表面與所述透明基板的第一表面或孔壁表面平齊，所述金屬沉積層位于所述離子注入層上且與所述離子注入層緊密相連，所述銅沉積層位于所述金屬沉積層上且與所述金屬沉積層緊密相連，所述金屬加厚層與所述銅沉積層緊密相連，其中所述金屬沉積層中的金屬不包括銅。