[實(shí)用新型]背金鍍錫型晶圓

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720054096.9
• 申請(qǐng)日: 2017-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN206524319U
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李江華;湯為;孫效中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州旺童半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/28
• 分類號(hào): H01L23/28;H01L29/06
• 代理公司: 常州知融專利代理事務(wù)所(普通合伙)32302
• 代理人: 路向南

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種背金鍍錫型晶圓。

背景技術(shù)

目前主流的5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等晶圓的加工過程，會(huì)為大部分的功率器件增加背面金屬，金屬的材料和層次一般為鈦、鎳、銀，背面金屬是讓封裝的時(shí)候更好的與鍍錫工藝結(jié)合，提供更好的接觸電阻。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種背面鍍錫，可以大規(guī)模作業(yè)替代單個(gè)芯片的作業(yè)，提升效率和材料的利用率的背金鍍錫型晶圓。

實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案是：一種背金鍍錫型晶圓，具有器件區(qū)以及固定連接在器件區(qū)下方的背金區(qū)；所述背金區(qū)包括從上往下依次電鍍的鈦層、鎳層和銀層；所述銀層下方鍍有錫層。

上述技術(shù)方案所述錫層厚度小于等于2000納米。

上述技術(shù)方案所述鈦層厚度小于等于200納米。

上述技術(shù)方案所述鎳層厚度小于等于200納米。

上述技術(shù)方案所述銀層厚度小于等于1000納米。

采用上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型具有以下積極的效果：

(1)本實(shí)用新型可以在封裝的時(shí)候跳過點(diǎn)錫環(huán)節(jié)，直接進(jìn)行封裝。因?yàn)榉庋b是采取單個(gè)芯片的方式進(jìn)行工藝，在晶圓的時(shí)候鍍錫，是相當(dāng)于很多芯片同時(shí)作業(yè)，節(jié)省材料和工時(shí)。

附圖說明

為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為傳統(tǒng)方式的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

(實(shí)施例1)

見圖1，本實(shí)用新型具有器件區(qū)1以及固定在器件區(qū)1下方的背金區(qū)2；所述背金區(qū)2包括從上往下依次電鍍的鈦層3、鎳層4和銀層5；所述銀層5下方鍍有錫層6。

上述技術(shù)方案所述錫層6厚度小于等于2000納米。

上述技術(shù)方案所述鈦層3厚度小于等于200納米。

上述技術(shù)方案所述鎳層4厚度小于等于200納米。

上述技術(shù)方案所述銀層5厚度小于等于1000納米。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。