[實用新型]一種DFB半導體激光器有效
| 申請號： | 201720051772.7 | 申請日： | 2017-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN206412634U | 公開（公告）日： | 2017-08-15 |
| 發明（設計）人： | 薛正群;蘇輝;王凌華;陳陽華;林琦;林中晞 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | H01S5/12 | 分類號： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙)11535 | 代理人： | 劉元霞,張祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 dfb 半導體激光器 | ||
1.一種DFB半導體激光器，其特征在于，所述DFB半導體激光器為包含多個激光器的單顆管芯，其中，每個激光器具有的脊型波導相互獨立，所述管芯還包括金屬覆蓋區域，所述金屬覆蓋區域位于所述脊型波導的上表面，每個脊型波導由各自對應的激光器焊盤單獨供電。
2.根據權利要求1所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述脊型波導位于所述管芯的中間位置。
3.根據權利要求2所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述脊型波導包括：InP光柵覆蓋層、P-InP過渡層、P-InGaAsP過渡層和P-InGaAs重摻雜層。
4.根據權利要求2所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述多個激光器為四個激光器，所述脊型波導為四個脊型波導。
5.根據權利要求2所述的DFB半導體激光器，其特征在于，制備所述管芯的外延片采用波導和有源區結構。
6.根據權利要求5所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述外延片表面的光柵層上制備有均勻的部分光柵。
7.根據權利要求6所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述光柵遠離管芯的出光端面和背光端面一段距離。
8.根據權利要求5所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述外延片包括：N-InP襯底、N-InP緩沖層、InAlGaAs下波導層、AlGaInAs多量子阱有源層、InAlGaAs上波導層、P-InP過渡層、P-InGaAsP過渡層、P-InP空間層、InGaAsP光柵層和InP保護層。
9.根據權利要求8所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述InAlGaAs下波導層和InAlGaAs上波導層為禁帶寬度和折射率漸變的波導層。
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