[實用新型]一種DFB半導體激光器

有效

• 申請號: 201720051403.8
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN206412633U
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 薛正群;蘇輝;王凌華;陳陽華;林琦;林中晞
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: H01S5/12
• 分類號: H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙)11535
• 代理人: 劉元霞,張祖萍

1.一種DFB半導體激光器，其特征在于，包括：脊型波導激光器、光柵和探測器，其中，脊型波導激光器位于基片表面靠近出光端面的區域，光柵和探測器位于脊型波導激光器的腔外，光柵刻蝕到襯底層并靠近脊型波導激光器，探測器位于基片表面靠近背光端面的區域，并靠近光柵。

2.根據權利要求1所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述基片采用多量子阱外延結構。

3.根據權利要求2所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述基片包括N-InP襯底層、N-InP緩沖層、AlGaInAs下波導層、AlGaInAs多量子阱有源層、AlGaInAs上波導層、P-InP間隔層、P-InGaAsP腐蝕停止層、P-InP空間層、P-InGaAsP過渡層、P⁺-InGaAs重摻雜歐姆接觸層和P-InP保護層。

4.根據權利要求3所述的DFB半導體激光器，其特征在于，AlGaInAs上波導層與AlGaInAs下波導層為組分漸變的波導層。

5.根據權利要求3所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述脊型波導激光器的脊型波導結構包括P-InGaAsP腐蝕停止層、P-InP空間層、P-InGaAsP過渡層和P⁺-InGaAs重摻雜歐姆接觸層。

6.根據權利要求5所述的DFB半導體激光器，其特征在于，脊型波導結構的脊深1.8μm，上下脊寬分別為2.0μm和1.8μm。

7.根據權利要求1所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述光柵為周期性均勻光柵。

8.根據權利要求1所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述光柵表面覆蓋有BCB。

9.根據權利要求1所述的DFB半導體激光器，其特征在于，還包括位于脊型波導激光器的脊型波導表面的激光器金屬覆蓋區域和位于探測器表面的探測器金屬覆蓋區域。

10.根據權利要求1所述的DFB半導體激光器，其特征在于，出光端面蒸鍍有一對Si/Al₂O₃高透膜；背光端面蒸發有兩對Al₂O₃/Si高反膜。