[實用新型]一種環腔納米線電注入單光子源器件

有效

• 申請號: 201720046617.6
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN206541846U
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 陳飛良;李沫;黃鋒;張暉;李倩;王旺平;康健彬;李俊澤;張健
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/10
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙)51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種環腔納米線電注入單光子源器件，其特征在于：包括p型電極（1）、pin納米線（2）、量子點（3）、多層同心環腔（4）、n型電極（5）、下層n型材料（6）和襯底（7）；

所述襯底（7）位于最底層，襯底（7）的上面為下層n型材料（6），下層n型材料（6）的上面為pin納米線（2）、量子點（3）、多層同心環腔（4）、n型電極（5），p型電極（1）位于pin納米線（2）的上面；

所述多層同心環腔（4）以pin納米線（2）為圓心位于 pin納米線（2）的外層；

所述n型電極（5）以pin納米線（2）為圓心呈環形位于多層同心環腔（4）的外層，且靠近下層n型材料（6）的邊緣；

所述pin納米線（2）位于下層n型材料（6）的中心上，量子點（3）嵌埋于pin納米線（2）中間。

2.根據權利要求1所述的環腔納米線電注入單光子源器件，其特征在于：所述pin納米線（2）由p型材料、本征型、n型材料構成pin結構；其中，p型材料位于最上層，與p型電極（1）形成歐姆接觸。

3.根據權利要求1所述的環腔納米線電注入單光子源器件，其特征在于：所述量子點（3）位于pin納米線（2）的本征層中，采用禁帶寬度小于pin納米線（2）的材料，與pin納米線（2）一起構成單量子阱結構。

4.根據權利要求1所述的環腔納米線電注入單光子源器件，其特征在于：所述多層同心環腔（4）由兩種或多種復折射率不同的材質構成，其材質為空氣、或介質絕緣材料、或金屬材料。

5.根據權利要求1所述的環腔納米線電注入單光子源器件，其特征在于：所述n型電極（5）與下層n型材料（6）形成n型歐姆接觸。

6.根據權利要求1所述的環腔納米線電注入單光子源器件，其特征在于：所述下層n型材料（6）與pin納米線（2）中的n型材料材質一致。