[實用新型]一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺

有效

• 申請號: 201720036335.8
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN206512320U
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 高超;宗艷民;朱燦;張紅巖
• 申請（專利權）人: 山東天岳晶體材料有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B15/10;C30B15/14
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司37205
• 代理人: 苗峻

1.一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺，其特征在于，包括長方體形石墨平臺(2)，所述的長方體形石墨平臺(2)上開設有坩堝槽(1)，且坩堝槽(1)凹陷在長方體形石墨平臺(2)內部，開口與長方體形石墨平臺(2)的上表面平齊；所述的坩堝槽(1)內鋪設石墨氈(6)，且石墨氈(6)內部均勻分布有電阻絲(5)，電阻絲(5)的端部裸露在石墨氈(6)的外部，SiC生長坩堝(7)放置在坩堝槽(1)內部，其外表面與裸露的電阻絲端部相接；所述的坩堝槽(1)對應的長方體形石墨平臺(2)底部設置有冷水管(4)。

2.如權利要求1所述的溫度可控的SiC生長坩堝平臺，其特征在于，所述的石墨氈(6)外部設置有通電按鈕(8)。

3.如權利要求1所述的溫度可控的SiC生長坩堝平臺，其特征在于，所述的石墨平臺放置在不銹鋼底座(3)上，冷水管(4)盤繞在不銹鋼底座(3)內部，且冷水的進出口位于不銹鋼底座(3)外部。