[實用新型]一種雙聯節能LED半導體芯片

有效

• 申請號: 201720035451.8
• 申請日: 2017-01-13
• 公開（公告）號: CN206711915U
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 王贊;劉自通;阮宜武
• 申請（專利權）人: 河南工業大學
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述的LED半導體芯片由十部分組成，分別是直流電源、導線、正極銅電極、P-GaN薄膜、GaN薄膜、N-GaN薄膜、N-GaN基板、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜、負極銅電極，所述直流電源通過所述導線連接金屬銅電極，電子由負極流入，經過N-GaN薄膜、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜、N-GaN基板、N-GaN薄膜、GaN薄膜、P-GaN薄膜，由負極流出，所述N-GaN薄膜、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜、N-GaN薄膜、GaN薄膜、P-GaN薄膜均為矩形截面結構且長、寬尺寸相同，所述P-GaN薄膜、N-GaN薄膜、GaN薄膜構成的P-GaN/N-GaN/GaN發光PN結通過化學氣相沉積法與N-GaN基板在界面處通過化學鍵連接，所述N-GaN薄膜、HfO₂薄膜、P-ZnO薄膜構成的N-GaN/HfO2/P-ZnO發光PN結通過化學氣相沉積法與N-GaN基板在界面處通過化學鍵連接，熱量通過N-GaN基板由P-GaN/N-GaN/GaN發光PN結傳遞至N-GaN/HfO_2/P-ZnO發光PN結。

2.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述電源為直流穩壓驅動電源，電壓為5～10V。

3.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述正極銅電極與負極銅電極采用物理氣相沉積法制備。

4.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述的N-GaN基板采用化學氣相沉積法制備，厚度0.5～1.0mm。

5.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述的N-GaN薄膜采用化學氣相沉積法制備，厚度0.1～0.15mm。

6.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述的GaN薄膜采用化學氣相沉積法制備，厚度0.01～0.04mm。

7.權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述的P-GaN薄膜采用化學氣相沉積法制備，厚度0.1～0.22mm。

8.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述的HfO2薄膜采用化學氣相沉積法制備，厚度0.01～0.03mm。

9.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：所述的P-ZnO薄膜采用化學氣相沉積法制備，厚度0.1～0.2mm。

10.如權利要求1所述的一種雙聯節能LED半導體芯片，其特征在于：

所述的雙聯節能LED半導體芯片，可通過P-ZnO薄膜與N-GaN薄膜中摻雜元素濃度的調節，實現吸熱功率的調節。