[實用新型]功率半導體模塊及其布置

有效

• 申請號: 201720024150.5
• 申請日: 2017-01-09
• 公開（公告）號: CN206471319U
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: C·格布爾;C·芬內布施
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/40;H01L25/07;H05K5/00
• 代理公司: 北京市路盛律師事務所11326
• 代理人: 劉世杰,王桂玲

1.功率半導體模塊，其特征在于，功率半導體模塊具有壓力施加體(1)，功率半導體模塊具有電路載體(2)，該電路載體(2)構造有第一導體軌道(22)、設置在其上的功率半導體組件(3)以及內部連接裝置(4)，功率半導體模塊具有殼體(5)，該殼體(5)構造有布置在其中的引導裝置(50)以及連接元件(6)，

其中連接元件(6)被實施為螺栓，所述螺栓具有第一端部區段(60)和第二端部區段(62)以及在第一端部區段和第二端部區段之間形成的中間區段(64)，其中第一端部區段(60)擱置于電路載體(2)上并且與該電路載體導電連接，以及

其中第二端部區段(62)通過切除部從殼體(5)突出；

其中所述連接元件(6)布置在所分配的引導裝置(50)內；以及

其中所述壓力施加體(1)具有剛性的第一部分主體(10)和彈性的第二部分主體(12)，其中第二部分主體(12)在殼體(5)的方向上從第一部分主體(10)伸出并且被設計成當電路板(7)布置在壓力施加體(1)和帶有連接元件(6)的殼體(5)之間并且因此也布置在第二部分主體(12)和連接元件(6)的第二端部區段(62)之間時將壓力(14)施加到電路板(7)。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，連接元件(6)的中間區段(64)具有在0.5mm²至10mm²之間的橫截面積。

3.根據權利要求2所述的功率半導體模塊，其特征在于，連接元件(6)的中間區段(64)具有在0.75mm²至5mm²之間的橫截面積。

4.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，連接元件(6)的至少一個端部區段(60，62)具有接觸面(600，620)，該接觸面(600，620)具有以平面或凸形方式實施的表面形狀。

5.根據權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于，接觸面(600，620)具有結構化的表面。

6.根據權利要求5所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述接觸面(600，620)的所述結構化的表面具有同心的環形結構(622)。

7.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，連接元件(6)的端部區段(60，62)中的至少一個實施為蘑菇形。

8.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，連接元件(6)由銅或主要包含銅的合金構成。

9.根據權利要求8所述的功率半導體模塊，其特征在于，連接元件(6)具有由銀或主要包含銀的合金制成的表面涂層。

10.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，引導裝置(50)被設計成夾持所分配的連接元件(6)以使得防止其脫落，其中引導裝置(50)具有至少一個具有夾持面(54)的夾持裝置(52)，所述夾持裝置(52)將連接元件(6)在其中間區段(64)處夾持。

11.根據權利要求10所述的功率半導體模塊，其特征在于，引導裝置(50)具有三個具有夾持面(54)的夾持裝置(52)。

12.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，壓力施加體(1)的第一部分主體(10)具有切除部(120)，第二部分主體(12)從該切除部中伸出。

13.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，壓力施加體(1)的第一部分主體(10)由第一絕緣材料構成，該第一絕緣材料由耐高溫的熱塑性材料制成，并且第二部分主體(12)由第二絕緣材料構成，該第二絕緣材料由硅橡膠制成。

14.根據權利要求13所述的功率半導體模塊，其特征在于，該第一絕緣由聚苯硫醚制成，且具有金屬增強結構(102)，并且該第二絕緣材料由液體硅樹脂制成。

15.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，壓力施加體(1)的第二部分主體(12)與引導裝置(50)齊平或基本齊平地布置。

16.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，在另一個引導裝置(50)中構造壓力傳遞元件，該壓力傳遞元件構造成基本上與連接元件(6)相同，但是由電絕緣材料制成。