[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720019094.6
• 申請日: 2017-01-06
• 公開（公告）號: CN206422057U
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 波拉·巴洛葛盧;可陸提斯·史溫格;駱·休莫勒
• 申請（專利權(quán)）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/488;H01L23/48
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,安利霞

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

第一基板，其包括含有金屬的第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括凸形末端；

第二基板，其包括含有所述金屬的第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括凹形末端；以及

金屬至金屬接合，其在接合區(qū)域處的所述凸形末端和所述凹形末端之間，所述接合區(qū)域在所述凹形末端的縱軸附近為不對稱。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括間隙，所述間隙在所述凸形末端和所述凹形末端的至少一者的周圍邊緣處的所述凸形末端和所述凹形末端之間。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接合區(qū)域朝所述凹形末端的第一側(cè)偏移。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接合區(qū)域朝所述凹形末端的所述第一側(cè)偏移所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的寬度的至少5％。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述凹形末端的第一側(cè)的所述接合區(qū)域比在所述凹形末端的第二側(cè)大。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述凹形末端的所述第一側(cè)的所述接合區(qū)域比在所述凹形末端的所述第二側(cè)大至少5％。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)和所述第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的至少一者包括銅柱。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括第一銅；

所述第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括第二銅；以及

所述金屬至金屬接合是直接銅至銅接合。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括第一銅；

所述第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括第二銅；以及

所述金屬至金屬接合包括在所述第一銅和所述第二銅之間的至少一中間金屬。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的至少一者包括半導(dǎo)體晶粒。

11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

第一基板，其包括含有金屬的第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括凸形末端；

第二基板，其包括含有所述金屬的第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括凹形末端；

金屬至金屬接合，其在所述凸形末端和所述凹形末端之間；以及

間隙，其在所述凸形末端和所述凹形末端的至少一者的周圍邊緣處的所述凸形末端和所述凹形末端之間。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述周圍邊緣的第一部分的所述間隙比在所述周圍邊緣的第二部分大。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)和所述第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的第一者從所述第一金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)和所述第二金屬接點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的第二者突出。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述間隙完全地在所述周圍邊緣附近延伸。

15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述間隙是在所述凸形末端和所述凹形末端之間的最大間隙。