[實(shí)用新型]用于IGBT的飽和壓降檢測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720013688.6
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN206489211U
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂光煒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川埃姆克伺服科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R19/165
• 分類號(hào): G01R19/165
• 代理公司: 四川力久律師事務(wù)所51221
• 代理人: 王蕓,熊曉果

1.一種用于IGBT的飽和壓降檢測(cè)電路，其特征在于，包括第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分別與被控IGBT的集電極、射極連接，用于檢測(cè)被控IGBT的集電極與射極之間的極間電壓；

還包括，第一二極管D1、第二二極管D2、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極管ZD2、第三電阻R3、第四電阻R4及第一電容C1；

所述第一二極管D1的負(fù)極與第一端口、第二端口連接，正極與第一穩(wěn)壓二極管ZD1的正極連接，第一穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極與第三電阻R3的第一端連接；

所述第三電阻R3的第二端通過第四電阻R4與IGBT驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接；同時(shí)，所述第三電阻R3還通過并接的第一電容C1、第二二極管D2、第二穩(wěn)壓二極管ZD2接地；

其中，第一電容C1與第三電阻R3連接的一端為檢測(cè)電路的輸出端口。