[實(shí)用新型]三層氮化硅薄膜電池片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720013473.4 | 申請日: | 2017-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN206301809U | 公開(公告)日: | 2017-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范啟超;徐兆遠(yuǎn) | 申請(專利權(quán))人: | 浙江晶能光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0445 |
| 代理公司: | 嘉興永航專利代理事務(wù)所(普通合伙)33265 | 代理人: | 蔡鼎 |
| 地址: | 314406 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三層 氮化 薄膜 電池 | ||
1.三層氮化硅薄膜電池片,包括硅片,其特征在于,所述硅片的正面涂覆有三層減反射膜,三層減反射膜均為氮化硅膜,三層減反射膜包括由下至上分布的第一層膜、第二層膜和第三層膜,第一層膜覆蓋于硅片的正面,第一層膜的厚度為8-12nm,第二層膜覆蓋于第一層膜的上表面,第二層膜的厚度為13-17nm,第三層膜覆蓋于第二層膜的上表面,第三層膜的厚度為53-57nm,第一層膜、第二層膜和第三層膜三者的總厚度為80nm;所述三層減反射膜的上表面印有主柵線和次柵線,主柵線的兩端開設(shè)有鏤空凹槽,鏤空凹槽槽寬為主柵線線寬的2/3,鏤空凹槽槽深為主柵線長度的1/12,硅片的背面印有背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層氮化硅薄膜電池片,其特征在于,所述鏤空凹槽內(nèi)設(shè)置有呈X型的輔助線,輔助線上設(shè)置有若干個(gè)鏤空孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層氮化硅薄膜電池片,其特征在于,所述主柵線的數(shù)量至少有3條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層氮化硅薄膜電池片,其特征在于,所述硅片為多晶硅硅片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三層氮化硅薄膜電池片,其特征在于,所述硅片的厚度為180-200μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三層氮化硅薄膜電池片,其特征在于,所述硅片的四角為倒角,倒角的角度為40-50°。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三層氮化硅薄膜電池片,其特征在于,所述倒角的角度為45°。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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