[實用新型]一種晶硅太陽能電池結構有效
| 申請號: | 201720013121.9 | 申請日: | 2017-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN206340556U | 公開(公告)日: | 2017-07-18 |
| 發明(設計)人: | 杜喜霞 | 申請(專利權)人: | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 上海碩力知識產權代理事務所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,尤其涉及一種晶硅太陽能電池結構。
背景技術
光伏發電是當前利用太陽能的主要方式之一,太陽能光伏發電因其清潔、安全、便利、高效等特點,已成為世界各國普遍關注和重點發展的新興產業。因此,深入研究和利用太陽能資源,對緩解資源危機、改善生態環境具有十分重要的意義。
隨著漿料網版技術的不斷發展,為了提高晶硅太陽能電池的轉換效率,都在追求高阻密柵。
晶體硅太陽能電池是將太陽能轉化成電能的半導體器件,器件的大小和正面柵線遮光面積直接決定最終的發電功率,為了獲得更高的電池轉換效率,需要擴散更高的方阻,配合更細的副柵線印刷,減少遮光面積,提高電流,從而提高晶硅太陽能電池轉換效率。
在進行擴散工藝的過程中,為了追求更高的方阻,方阻的均勻性就會受到影響,導致硅片由四周向中心區域方阻逐漸增大,如果采用傳統的晶硅太陽能電池正面電極設計,就不能達到高阻密柵的最佳效果,因此,有必要對晶硅太陽能電池的正面電極進行改進。
實用新型內容
本實用新型的主要目的是提供一種晶硅太陽能電池結構,從而提高晶硅太陽能電池的轉換效率。
本實用新型提供如下技術方案:
一種晶硅太陽能電池結構,包括光電轉換層、設置在所述光電轉換層正面的正面電極以及設置在所述光電轉換層背面的背面電極,其中:
所述正面電極上設置有若干主柵線與若干副柵線,所述主柵線之間相互平行設置,所述副柵線分為第一副柵線以及第二副柵線,所述第一副柵線垂直于所述主柵線,所述第二副柵線用于間斷地連接所述第一副柵線且所述第二副柵線與所述主柵線平行;
所述正面電極包括第一區域、第二區域及第三區域,所述第一區域包圍所述第二區域,所述第二區域包圍所述第三區域,設置在所述第一區域、所述第二區域及所述第三區域的所述第一副柵線的間距不同。
可選的,設置在所述第一區域、所述第二區域及所述第三區域的所述第一副柵線的寬度不同。
可選的,所述主柵線的數量為1至20條。
可選的,所述主柵線的寬度為100至1500um。
可選的,所述主柵線的長度為155至165mm。
可選的,所述第一副柵線的數量為50至200根,所述第二副柵線的數量為10-20根。
可選的,所述第一副柵線及所述第二副柵線的寬度為15至60um。
可選的,所述第一副柵線及所述第二副柵線的長度為10至165mm。
可選的,設置于所述第一區域的所述第一副柵線的間距為1.5至4mm,設置于所述第二區域的所述第一副柵線的間距為1.0至3.5mm,設置于所述第三區域的所述第一副柵線間距在0.5至3.0mm。
可選的,所述晶硅太陽能電池的形狀為正方片或四角帶有圓弧的準方片,其中圓弧的直徑大于200mm。
本實用新型由于采用以上技術方案,使之與現有技術相比,具有以下的優點和積極效果:
1.可以實現在正面電極的不同區域設計不同的第一副柵線寬度和間距,降低遮光面積,提高電流,從而提高晶硅電池轉換效率。
2.可以實現在正面電極的不同區域設計不同的第一副柵線寬度和間距,緩解甚至消除由于擴散方阻不均導致效率偏低的現象。
3.通過將副柵線設置為用于垂直主柵線的第一副柵線以及間斷地連接第一副柵線且與主柵線平行的第二副柵線,從而使得該柵線結構能防EL斷柵,縮短電極柵線結構的邊緣到硅片邊緣的距離,優化電池外觀,避免由于絲網印刷的本身特性和漿料特性導致柵線加粗及斷線的不良片產生。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例提供的晶硅太陽能電池正面電極結構的結構示意圖;
圖2為本實用新型實施例提供的晶硅太陽能電池正面電極結構的區域示意圖;
圖中:100-晶硅太陽能電池、101-主柵線、102-第一副柵線、103-第二副柵線、201-第一區域、202-第二區域、203-第三區域
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的晶硅太陽能電池結構作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書,本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
請參閱圖1及圖2,本實施例提供的晶硅太陽能電池100,其結構具體包括光電轉換層、設置在所述光電轉換層正面的正面電極以及設置在所述光電轉換層背面的背面電極,其中:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





