[實用新型]具有高抗短路能力的IGBT器件

有效

• 申請號: 201720012859.3
• 申請日: 2017-01-05
• 公開（公告）號: CN206388708U
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 程煒濤;姚陽;王海軍;葉甜春
• 申請（專利權）人: 江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/423
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良,涂三民

1.一種具有高抗短路能力的IGBT器件，包括P阱（1）、第一柵極（2）、發射極（3）、第一絕緣氧化層（4）、P+區域（5）、金屬層（6）、FS層（7）、集電極（8）、第二柵極（9）、基區（10）與第二絕緣氧化層（11），其特征是：在集電極（8）上設有FS層（7），在FS層（7）上設有基區（10），在基區（10）上設有P阱（1），在P阱（1）上設有金屬層（6），在金屬層（6）內設有左右兩個第一絕緣氧化層（4），在左右兩個第一絕緣氧化層（4）之間的金屬層（6）內設有第二絕緣氧化層（11），在第一絕緣氧化層（4）的下端部連接有第一柵極（2），在第二絕緣氧化層（11）的下端部連接有第二柵極（9），第一柵極（2）與第二柵極（9）的下端部均位于基區（10）內，在第一柵極（2）的上端部的左右兩側以及在第二柵極（9）的上端部的左右兩側均設有發射極（3），位于第二柵極（9）與第一柵極（2）之間的兩個發射極（3）之間以及位于第一柵極（2）外側的發射極（3）上連接有P+區域（5）。

2.如權利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二柵極（9）的寬度大于第一柵極（2）的寬度。

3.如權利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二絕緣氧化層（11）的寬度大于第一絕緣氧化層（4）的寬度。