[實用新型]一種基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀

有效

• 申請號: 201720007212.1
• 申請日: 2017-01-04
• 公開（公告）號: CN206420432U
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 李合欣;杜紅亮;叢林;郭鳳誠
• 申請（專利權）人: 山東省產品質量檢驗研究院
• 主分類號: G01B7/06
• 分類號: G01B7/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀，其特征在于：包括信號發生模塊、探頭線圈、信號調理模塊、單片機模塊、顯示模塊、A/D轉換模塊、信號觸發采集模塊；所述信號發生模塊、探頭線圈、信號調理模塊和單片機模塊依次連接，所述信號觸發采集模塊通過A/D轉換模塊與單片機模塊連接，所述顯示模塊與單片機模塊連接。

2.根據權利要求1所述的基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀，其特征在于：所述信號發生模塊包括相互連接的激勵觸發模塊和電源模塊。

3.根據權利要求1所述的基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀，其特征在于：所述信號觸發采集模塊包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、三極管Q1、二極管VD和MOS管，所述電阻R4一端與單片機模塊連接，另一端與MOS管源極連接，所述MOS管源的柵極接地，MOS管的漏極通過電阻R2與三極管Q1的基極連接，三級管Q1的發射極通過電阻R3與+10V電源連接，三級管Q1的集電極與二極管VD的陰極連接，二極管VD的陽極通過電阻R1接地，所述探頭線圈的一端與三極管Q1的集電極連接，另一端接地。

4.根據權利要求1所述的基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀，其特征在于：所述單片機模塊的型號為C8051F350。

5.根據權利要求2所述的基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀，其特征在于：所述激勵觸發模塊為方波脈沖發生器電路，該方波脈沖發生器電路包括相互連接的自激多諧振蕩器和單穩態觸發器。

6.根據權利要求1所述的基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀，其特征在于：所述信號調理電路包括依次連接的電壓跟隨電路、面積積分電路、減法運算電路和濾波電路。

7.根據權利要求1所述的基于C8051單片機的保護層厚度的無損檢測儀，其特征在于：所述顯示模塊為SYB240128AZK液晶模塊。