[實用新型]一種LED多芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

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• 申請日: 2017-01-04
• 公開（公告）號: CN206312934U
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 林明珠
• 申請（專利權(quán)）人: 林明珠
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/62;H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及LED領域，尤其涉及一種LED多芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術

近年來，基于節(jié)能環(huán)保、效率高、小體積、長壽命等特點，LED燈越來越受到消費者的青睞，但是目前的LED光源結(jié)構(gòu)中的熒光粉結(jié)構(gòu)，存在出光效率不高，整體透光性不好的缺陷。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的的目的在于克服現(xiàn)有技術的缺陷，提供了一種LED多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板，GaN大功率藍光LED芯片，熒光粉涂層和塑封透鏡。

所述平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板設有反射杯和若干規(guī)律分布的倒錐形孔，所述倒錐形孔之間是交疊設置的。

所述GaN藍光大功率LED芯片包括若干個LED芯片，所述若干個LED芯片是規(guī)律分布在所述的反射杯內(nèi)，所述LED芯片通過導電銀膠固定在所述的平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板上，利用超聲金絲球?qū)⑺鯣aN藍光大功率LED芯片的正負極與所述平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板的引線框架引腳焊連，所述的LED芯片之間也是利用超聲金絲球焊接。

所述的熒光粉涂層是氮化物熒光粉與YAG:Ce熒光粉的分層結(jié)構(gòu)，并利用脈沖分層噴涂混合涂覆技術將所述的分層結(jié)構(gòu)涂覆在所述的GaN藍光大功率LED芯片表面之上。

所述的透鏡是在所述的平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板上直接塑封出來的，所述透鏡為高透光硅膠透鏡。

所述的熒光粉涂層中氮化物熒光粉與YAG:Ce熒光粉的厚度比例可以根據(jù)所需光源顏色成分設置的。

所述的LED多芯片封裝結(jié)構(gòu)采用分層熒光粉涂覆結(jié)構(gòu)后，YAG:Ce熒光粉與氮化物熒光粉間的再吸收問題得到了有效的改善，LED芯片發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)換為黃綠光后逸出的概率增大，熒光粉涂層整體透光性增強，分層結(jié)構(gòu)中氮化物熒光粉激發(fā)概率得到有效提升，僅需要較小的涂層厚度便可獲得與混合結(jié)構(gòu)相同的紅光成分，這對降低LED多芯片封裝光源的制造具有十分重要的實用價值。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明，實施例僅是本實用新型的一個實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)附圖獲取其他的實施例，也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

圖1為本實用新型LED多芯片封裝結(jié)構(gòu)中一個LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型LED多芯片封裝結(jié)構(gòu)的局部結(jié)構(gòu)示意圖及封裝基板的倒錐形孔示意圖。

附圖標記：1-平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板，2- GaN大功率藍光LED芯片，3-熒光粉涂層，4-焊接金線，5-塑封透鏡，6-倒錐形孔。

具體實施方式

如圖1和圖2所示，本實用新型所揭示的一種LED多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板1，GaN大功率藍光LED芯片2，熒光粉涂層3和塑封透鏡5。

平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板1設有反射杯和若干規(guī)律分布的倒錐形孔6，倒錐形孔6之間是交疊設置的。

GaN藍光大功率LED芯片2包括若干個LED芯片，若干個LED芯片是規(guī)律分布在反射杯內(nèi)，LED芯片通過導電銀膠固定在平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板1上，利用超聲金絲球?qū)aN藍光大功率LED芯片的正負極與平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板1上引線框架引腳焊連， LED芯片之間也是利用超聲金絲球焊接。

熒光粉涂層3是氮化物熒光粉與YAG:Ce熒光粉的分層結(jié)構(gòu)，并利用脈沖分層噴涂混合涂覆技術將分層結(jié)構(gòu)涂覆在所述的GaN藍光大功率LED芯片2表面之上。

塑封透鏡是在平面鍍銀高反射MCPCB封裝基板1上直接塑封出來的，透鏡為高透光硅膠透鏡。

熒光粉涂層中氮化物熒光粉與YAG:Ce熒光粉的厚度比例可以根據(jù)所需光源顏色成分設置的。

本封裝結(jié)構(gòu)采用分層熒光粉涂覆結(jié)構(gòu)后，YAG:Ce熒光粉與氮化物熒光粉間的再吸收問題得到了有效的改善，LED芯片發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)換為黃綠光后逸出的概率增大，熒光粉涂層整體透光性增強，分層結(jié)構(gòu)中氮化物熒光粉激發(fā)概率得到有效提升，僅需要較小的涂層厚度便可獲得與混合結(jié)構(gòu)相同的紅光成分，這對降低LED多芯片封裝光源的制造具有十分重要的實用價值。