[實用新型]一種能雙向測試的雪崩測試電路

有效

• 申請號: 201720003881.1
• 申請日: 2017-01-04
• 公開（公告）號: CN206331079U
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 周鵬;陳躍俊;郝瑞庭
• 申請（專利權）人: 北京華峰測控技術有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京國林貿知識產權代理有限公司11001
• 代理人: 李桂玲,杜國慶

技術領域

本實用新型屬于半導體測試領域，具體涉及一種能雙向測試的雪崩測試電路，是一種針對MOSFET器件的雪崩測試電路。

背景技術

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬氧化物用電場的效應來控制半導體的場效應晶體管。MOSFET依照其工作載流子的極性不同，可分為“N溝道”與“P溝道” 的兩種類型，通常簡稱NMOS、PMOS等。

MOSFET器件由于制造工藝簡單、集成度高、抗干擾能力強，速度快、功耗低等優點，在電力電子設備中廣泛應用。隨著功率MOSFET器件在高頻開關和汽車電子等特殊環境的越來越多的使用，UIS（Unclamped Inductive Switching縮寫）失效已成為功率MOSFET器件最主要的失效模式。

UIS特性通常用來描述MOSFET器件在非鉗制電感電路中能承受電流大小的能力，或描述MOSFET器件在雪崩擊穿下負載能量的能力。UIS特性會影響到器件的安全工作區及壽命，因此UIS特性被認為是器件安全性的重要指標。UIS失效通常可以看作是MOSFET中的體二極管雪崩擊穿使得反向電流倍增，進而結溫升高到臨界溫度以上而發生熱擊穿。對器件來說，UIS失效帶來的損傷通常也是不可修復的，因此對器件雪崩能量的測試也尤為重要。

雪崩測試過程就是按設定電壓、電流、電感條件，模擬器件實際應用關斷時產生雪崩的過程，看被測的MOSFET器件是否發生損壞，不能承受這個規定能量MOSFET器件就是不合格的產品，需要在量產過程中剔除。

發明內容

本實用新型的目的是提供了一種能雙向測試的雪崩測試電路，解決了現有MOSFET器件雪崩測試電路無法同時測量NMOS和PMOS問題。

為了實現上述目的，本實用新型的技術方案是：

一種能雙向測試的雪崩測試電路，包括測試電壓源，電壓源依次經一個可控開關、電流取樣測量電路和電感施加在被測場效應管的漏極和源極兩端，被測場效應管的控制柵極連接開關控制信號，第一可控開關一端連接電壓源正極，在第一可控開關輸出端與電壓源負極之間設置有電感的續流二極管，續流二極管的正極連接第一可控開關輸出端，續流二極管的負極連接測試電壓源負極，其中，在續流二極管兩端與所述電流取樣測量電路、電感和被測場效應管之間設置有第一可控換向開關和第二可控換向開關，所述第一可控換向開關和第二可控換向開關的開關控制端與一個控制器連接，控制器控制兩個換向開關的開關換向實現被測場效應管的雙向測試。

方案進一步是：所述第一可控換向開關和第二可控換向開關的輸入端為雙輸入端分別連接在續流二極管兩端，所述第一可控換向開關和第二可控換向開關的輸出端為單端的輸出、輸入端，兩個單端的輸出、輸入端經電流取樣測量電路和電感施加在被測場效應管的漏極和源極兩端。

方案進一步是：所述第一可控換向開關和第二可控換向開關分別是由兩個N溝道場效應開關管組成，其中：第一可控換向開關中的第一N溝道場效應開關管源極和第二N溝道場效應開關管漏極連接作為單端輸出端，第二可控換向開關中的第三N溝道場效應開關管源極和第四N溝道場效應開關管漏極連接作為單端輸入端，第一可控換向開關中的第一N溝道場效應開關管的漏極接續流二極管的負極，第一可控換向開關中的第二N溝道場效應開關管的源極接續流二極管的正極；第二可控換向開關中的第三N溝道場效應開關管漏極接續流二極管的負極，第二可控換向開關中的第四N溝道場效應開關管源極接續流二極管的正極；

或者，所述第一可控換向開關是由一個P溝道場效應開關管和一個N溝道場效應開關管組成，第二可控換向開關分別是由兩個N溝道場效應開關管組成，其中：第一可控換向開關中的P溝道場效應開關管漏極和N溝道場效應開關管漏極連接作為單端輸出端，第二可控換向開關中的第一N溝道場效應開關管源極和第二可控換向開關中的第二N溝道場效應開關管漏極連接作為單端輸入端，第一可控換向開關中的P溝道場效應開關管的源極接續流二極管的負極，第一可控換向開關中的N溝道場效應開關管源極接續流二極管的正極；第二可控換向開關中的第三N溝道場效應開關管漏極接續流二極管的負極，第二可控換向開關中的第四N溝道場效應開關管源極接續流二極管的正極。