[發(fā)明專利]一種彈性顯示面板制作方法、彈性顯示面板及其顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711499360.0 | 申請日: | 2017-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN108183126B | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 盧馬才 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 518006 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 彈性 顯示 面板 制作方法 及其 顯示器 | ||
1.一種彈性顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供第一基板;
在所述第一基板上定義多個像素區(qū)以及位于所述多個像素區(qū)之間的彈性區(qū);具體包括:
在所述第一基板上形成襯底層;
對所述襯底層進行蝕刻,以形成多個像素區(qū)以及位于所述多個像素區(qū)之間的彈性區(qū);
其中,所述襯底層在所述彈性區(qū)的厚度小于所述像素區(qū)的厚度;
在所述像素區(qū)形成像素器件,以及在所述彈性區(qū)形成連接相鄰兩個像素區(qū)的導電布線;具體包括:
在所述襯底層上形成緩沖層;
在對應所述像素區(qū)的所述緩沖層上形成TFT器件;
在所述TFT器件上以及在對應彈性區(qū)的所述緩沖層上形成介質(zhì)層;
對所述彈性區(qū)的所述介質(zhì)層進行圖案化,以使所述介質(zhì)層形成至少一個柱狀凸起結(jié)構(gòu);
在所述介質(zhì)層上形成導電層;
對所述導電層進行圖案化,以形成源/漏極和連接相鄰兩個像素區(qū)的導電布線;
在對應所述像素區(qū)的所述導電層上形成OLED器件;
其中,所述導電布線的長度大于相鄰兩個像素區(qū)之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述在對應所述像素區(qū)的所述緩沖層上形成TFT器件的步驟,包括:
在所述緩沖層上形成半導體層;
在所述半導體層上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述在對應所述像素區(qū)的所述導電層上形成OLED器件的步驟,包括:
在對應所述像素區(qū)的所述導電層上形成平坦層;
在所述平坦層上形成第一電極;
在所述第一電極上形成發(fā)光元件;
在所述發(fā)光元件上形成第二電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述方法還包括:
在所述像素器件和所述導電布線上形成封裝層;
在所述封裝層上形成第一彈性層;
在所述第一彈性層上粘合第二基板;
剝離所述第一基板;
對所述襯底層進行薄化,以裸露出所述彈性區(qū)的所述緩沖層;
對所述彈性區(qū)的所述緩沖層和介質(zhì)層進行蝕刻,以裸露出所述導電布線;
在所述襯底層和所述導電布線上形成第二彈性層;
剝離所述第二基板,以裸露出所述第一彈性層。
5.一種彈性顯示面板,其特征在于,所述顯示面板采用如權(quán)利要求1-4任一項所述的制作方法制作得到;
所述顯示面板包括多個像素區(qū)以及位于所述多個像素區(qū)之間的彈性區(qū);
其中,所述像素區(qū)設(shè)置有像素器件,所述彈性區(qū)設(shè)置有連接相鄰兩個像素區(qū)的導電布線,所述導電布線的長度大于相鄰兩個像素區(qū)之間的距離;
所述彈性區(qū)設(shè)置有至少一個柱狀凸起結(jié)構(gòu),所述導電布線設(shè)置在所述至少一個柱狀凸起結(jié)構(gòu)的表面。
6.一種彈性顯示器,其特征在于,包括顯示面板,其中,所述顯示面板是采用如權(quán)利要求1-4任一項所述的制作方法制作得到。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





